[实用新型]掩模对准系统及光刻设备有效
申请号: | 202120367151.6 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN214122685U | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 李志丹;孙俊阳;覃宗伟 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 系统 光刻 设备 | ||
本实用新型提供了一种掩模对准系统及光刻设备,包括:光源,用于发射曝光光束;遮光板,位于所述光源下方;掩模版,位于所述遮光板下方,其上设有若干对准标记;同轴对准运动机构,与所述遮光板及若干同轴对准镜头连接,用于驱动所述遮光板及所述同轴对准镜头同步运动至曝光工位或对准工位;以及,在曝光工位时,所述遮光板的遮光区遮挡所述对准标记;在对准工位时,所述同轴对准镜头对准对应的所述对准标记。本实用新型以避免曝光时产生的杂散光在基底或基准板上形成不必要的图形。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种掩模对准系统及光刻设备。
背景技术
传统光刻机通常在中继组与掩模版之间设置一块固定的遮光板,用来遮挡杂散光对掩模版的影响。为了不影响同轴对准,遮光板在掩模版同轴对准标记对应的位置上做通孔来透光。但这样的设计会带来以下问题:当掩模版中曝光区透过率很低的工况下,会导致在曝光时反射回中继组的光线大幅增加,进而形成视场外杂散光,并有一部分光线再反射至遮光板的同轴对准标记孔,尤其在大剂量曝光时,杂散光累积的能量会将同轴对准标记曝光至基底或基准板上,形成不需要的图形缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种掩模对准系统及光刻设备,避免曝光时产生的杂散光在基底或基准板上形成不必要的图形。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种掩模对准系统,包括:
光源,用于发射曝光光束;
遮光板,位于所述光源下方;
掩模版,位于所述遮光板下方,其上设有若干对准标记;
同轴对准运动机构,与所述遮光板及若干同轴对准镜头连接,用于驱动所述遮光板及所述同轴对准镜头同步运动至曝光工位或对准工位;以及,
在曝光工位时,所述遮光板的遮光区遮挡所述对准标记;在对准工位时,所述同轴对准镜头对准对应的所述对准标记。
可选的,所述掩模版上设有曝光区,所述遮光板的透光区包括第一透光子区域及若干第二透光子区域,所述第一透光子区域与所述曝光区对应,一个所述第二透光子区域与一个所述对准标记对应,所有所述第二透光子区域均位于所述第一透光子区域的同侧。
可选的,所述同轴对准镜头位于对应的所述第二透光子区域上,且所述同轴对准镜头发射的光束穿过所述第二透光子区域。
可选的,所述第二透光子区域的数量、所述对准标记的数量及所述同轴对准镜头的数量均至少为2个。
可选的,所述掩模版上设有曝光区,所述遮光板的透光区包括第一透光子区域,所述同轴对准镜头发射的光束位于所述遮光板之外的区域。
可选的,所述曝光区的透光率小于或等于1%。
可选的,所述遮光板通过不透光的连接件与所述同轴对准运动机构连接。
可选的,所述连接件的形状为L形。
可选的,还包括中继镜组,所述中继镜组位于所述光源和所述遮光板之间。
基于本实用新型的另一个方面,本实用新型还提供了一种光刻设备,其包括如上所述的掩模对准系统。
在本实用新型提供的掩模对准系统及光刻设备中,光源用于发射曝光光束,遮光板位于光源下方,掩模版位于遮光板下方,掩模版上设有若干对准标记,同轴对准运动机构与遮光板及若干同轴对准镜头连接,用于驱动遮光板及同轴对准镜头同步运动至曝光工位或对准工位。本实用新型通过同轴对准运动机构驱动遮光板及同轴对准镜头同步运动至曝光工位或对准工位,在曝光工位时,遮光板的遮光区遮挡对准标记,防止曝光时产生的杂散光穿过对准标记,在对准工位时,同轴对准镜头对准对应的对准标记进行同轴对准,从而防止曝光时产生的杂散光穿过对准标记,进而避免曝光时产生的杂散光在基底或基准板上形成不必要的图形。
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