[实用新型]进行金属表面改性的装置

说明书

本申请公开一种进行金属表面改性的装置，其包括：箱体，所述箱体包括气体冷却系统、稀有气体输入系统、废气排出系统和样品放置台；所述箱体内还设置有隔离发生腔，所述隔离发生腔分别与所述气体冷却系统和所述废气排出系统连接；所述样品放置台设置在所述隔离发生腔的下方，其中所述样品放置台上放置有金属片；所述隔离发生腔内还具有等离子体放电发生器，所述稀有气体输入系统与所述等离子体放电发生器连接，所述等离子体放电发生器用于产生射流等离子体并喷射到所述金属片的表面。通过本申请实现了在大气压环境下有效激发等离子体射流，能够诱导液体表面改性剂的激发，在金属表面引入有机活性基团。

技术领域

本实用新型涉及材料表面改性技术，尤其涉及一种进行金属表面改性的装置。

背景技术

低温等离子体聚合反应，即等离子体增强的化学气相沉积方法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，检测PECVD)是一种低温、低压的等离子体表面改性技术，通过对单一或混合的有机蒸汽辉光放电来实现。在电流放电的高能量状态下，将挥发的气态单体的化学键打断，在材料表面以共价键结合、重组，不破坏它们基本的化学功能,最终在材料表面产生大量稳定的、高度特异的化学功能团，使材料表面反应活性显著改善。这种等离子体聚合物的厚度是纳米级的共价键化学结合，均匀一致，不存在涂层和材料之间的残余应力，结合牢固。PECVD作用深度浅，不影响材料本身的理化性能，并且操作简单,表面改性结果易于控制，可重复性好，这是将PECVD应用于金属表面改性的最大优势。

现有的放电技术多是在开放的空间进行，无法保证密闭性，可能在等离子体内引入空气中的气体杂质。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种进行金属表面改性的装置，以解决现有技术的在开放的空间进行气体放电导致激发效果不佳的问题。

根据本实用新型实施例提出一种进行金属表面改性的装置，其包括：箱体，所述箱体包括气体冷却系统、稀有气体输入系统、废气排出系统和样品放置台；所述箱体内还设置有隔离发生腔，所述隔离发生腔分别与所述气体冷却系统和所述废气排出系统连接；所述样品放置台设置在所述隔离发生腔的下方，其中所述样品放置台上放置有金属片；所述隔离发生腔内还具有等离子体放电发生器，所述稀有气体输入系统与所述等离子体放电发生器连接，所述等离子体放电发生器用于产生射流等离子体并喷射到所述金属片的表面。

其中，所述气体冷却系统包括：氮气进气流量计、氮气进气流量调节旋钮、氮气电磁阀开关和气体冷却器。

其中，所述废气排出系统包括：废气排出气流量计、废气排出气流量调节旋钮、废气排出泵、废气电磁阀开关。

其中，所述稀有气体输入系统包括：稀有气体进气流量计、稀有气体进气流量调节旋钮、稀有气体电磁阀开关。

其中，所述等离子体放电发生器包括：等离子体发生器外管，所述等离子体发生器高压电极、所述等离子体发生器负极、等离子体发生器液体管、发生器防回流罩、等离子体激发气体入口；在所述等离子体发生器外管的顶部和下部分别设置有等离子体发生器高压电极和等离子体发生器负极，所述等离子体发生器高压电极和所述等离子体发生器负极构成介质阻挡放电结构；所述等离子体发生器液体管设置在所述等离子体发生器高压电极内部，所述等离子体激发气体入口设置在所述等离子体发生器外管的顶部，稀有气体通过所述等离子体激发气体入口进入所述等离子体发生器外管；所述等离子体发生器外管的下部与所述样品放置台相对。

其中，所述等离子体发生器液体管包括入口，所述等离子体发生器液体管的入口设置在所述隔离发生腔之外。

其中，所述隔离发生腔开有通孔，所述样品放置台通过所述通孔插入所述隔离发生腔的内部。