[实用新型]一种膜有效
| 申请号： | 202120351302.9 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN214796783U | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王安娜;李亚;张雁茗 | 申请（专利权）人： | 中国移动通信有限公司研究院;中国移动通信集团有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 100053 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 | ||
1.一种膜，其特征在于，包括：透明介质基底与导电材料，其中：
透明介质基底一侧有凹槽，所述凹槽的形状是满足阻抗匹配特性或具有平面聚焦特性的单元结构图案组成的阵列；
导电材料在凹槽中。
2.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述透明介质基底是刻有超材料结构单元图案的透明介质基底。
3.如权利要求2所述的膜，其特征在于，所述透明介质基底的材料是以下材料之一：聚苯乙烯、聚碳酸酯或环氧树脂。
4.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述透明介质基底的厚度为1～10mm。
5.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述导电材料是以下材料之一：银纳米线、石墨烯、碳纳米管、过渡金属碳/氮化物。
6.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述凹槽深度小于亚微米级。
7.如权利要求1所述的膜，其特征在于，进一步包括：
粘胶，位于透明介质基底有凹槽的另一侧。
8.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述导电材料在凹槽中的厚度为10～100nm。
9.如权利要求1所述的膜，其特征在于，单元结构图案组成的阵列是菱形离散分布的。
10.如权利要求1至9任一所述的膜，其特征在于，所述单元结构图案为一个十字在一个方括号中。
11.如权利要求10所述的膜，其特征在于，方括号形凹槽的长度为2～5mm，十字形凹槽的长度为1～4mm，方括号形凹槽每一边的长度为0.5～2mm，十字形凹槽的宽度为0.1～0.5mm。
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