[实用新型]一种存储装置及真空存储装置有效

专利信息
申请号: 202120349851.2 申请日: 2021-02-05
公开(公告)号: CN214313158U 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 郭德华;李斌;王路平;赵建国;国营 申请(专利权)人: 山东天岳先进科技股份有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;F26B3/30
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 冯妙娜
地址: 250118 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储 装置 真空
【说明书】:

本申请公开了一种存储装置及真空存储装置,该存储装置包括:存储本体,所述存储本体包括基座和罩体,所述基座用于承载工作件,所述基座和所述罩体配合形成放置所述工作件的容纳腔;升降组件,所述升降组件分别与所述罩体和所述基座连接,所述升降组件用于驱动所述罩体相对于所述基座升降以打开和关闭所述容纳腔;和干燥组件,所述干燥组件包括用于加热所述工作件的至少一个加热件,所述加热件设置在所述基座,所述基座顶面与所述加热件对应的区域设置至少一个定位部以放置所述工作件。该存储装置将吸附在工作件孔隙中的水分彻底蒸发出来,使工作件在存储过程中同时被干燥,保证后续晶体的生长质量。

技术领域

本申请涉及一种存储装置及真空存储装置,具体涉及一种石墨件存储装置,属于存储设备技术领域。

背景技术

半导体晶体被广泛应用于集成电路、光电子器件、电力电子等领域,因此必须保证半导体晶体的纯度。目前主流的半导体晶体生长技术是物理气相输运法,即在高温下使半导体原料升华产生的气相源输运至籽晶处重新结晶而成。物理气相输运法制备半导体晶体的过程中需要大量石墨件,如石墨坩埚、石墨保温桶等,因此石墨件的湿度对半导体晶体质量有着很大的影响。

目前,石墨件主要存放于储物箱中或PE袋中,然而由于石墨件具有多孔结构,容易吸附空气中的水分,且难以将孔隙中的水分彻底除去,因此现有的存储方式无法降低石墨件的湿度,进而无法保证后续晶体的生长质量。

实用新型内容

为了解决上述问题,本申请提出了一种存储装置及真空存储装置,该存储装置将吸附在工作件孔隙中的水分彻底蒸发出来,使工作件在存储过程中同时被干燥,保证后续半导体晶体的生长质量;同时,可以防止工作件发生移动而产生破损,延长工作件的使用寿命。

根据本申请的一个方面,提供了一种存储装置,其包括:

存储本体,所述存储本体包括基座和罩体,所述基座用于承载工作件,所述基座和所述罩体配合形成放置所述工作件的容纳腔;

升降组件,所述升降组件分别与所述罩体和所述基座连接,所述升降组件用于驱动所述罩体相对于所述基座升降以打开和关闭所述容纳腔;和

干燥组件,所述干燥组件包括用于加热所述工作件的至少一个加热件,所述加热件设置在所述基座,所述基座顶面与所述加热件对应的区域设置至少一个定位部以放置所述工作件。

可选地,所述工作件的至少一端开口,所述定位部包括至少一个定位槽,所述定位槽的形状与所述工作件的开口匹配以将所述开口插入所述定位槽。

可选地,所述定位部包括多个同心定位槽,以放置不同尺寸的工作件。

可选地,所述工作件的至少一端为平面,所述定位部包括多个定位槽,所述工作件的平面放置在所述定位槽的槽壁顶面。

可选地,所述加热件设置在所述基座的顶面的凹坑,所述加热件形成所述定位部;或

所述基座的顶面形成所述定位部,所述加热件安装在所述基座下方并与所述定位部的形状适配。

可选地,所述加热件为螺旋红外加热管,所述螺旋红外加热管的每圈之间留有缝隙。

可选地,所述升降组件包括导轨和驱动机构,所述导轨的下端与所述基座下方的支撑腿连接;

所述升降组件包括导轨和驱动机构,所述导轨的下端与所述基座下方的支撑腿连接;

所述导轨包括第一导轨和第二导轨,所述第一导轨和所述第二导轨分别设置在所述基座的同一侧,所述第一导轨和所述第二导轨分别与所述罩体转动配合;

所述驱动机构设置在所述基座的下方,用于驱动所述第一导轨和所述第二导轨运动。

可选地,所述存储本体还包括设置在所述基座上的支架,所述支架包括至少两个从上至下依次设置的放置板。

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