[实用新型]一种存储装置及真空存储装置有效
申请号: | 202120349851.2 | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN214313158U | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 郭德华;李斌;王路平;赵建国;国营 | 申请(专利权)人: | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;F26B3/30 |
代理公司: | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人: | 冯妙娜 |
地址: | 250118 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储 装置 真空 | ||
1.一种存储装置,其特征在于,包括:
存储本体,所述存储本体包括基座和罩体,所述基座用于承载工作件,所述基座和所述罩体配合形成放置所述工作件的容纳腔;
升降组件,所述升降组件分别与所述罩体和所述基座连接,所述升降组件用于驱动所述罩体相对于所述基座升降以打开和关闭所述容纳腔;和
干燥组件,所述干燥组件包括用于加热所述工作件的至少一个加热件,所述加热件设置在所述基座,所述基座顶面与所述加热件对应的区域设置至少一个定位部以放置所述工作件。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,所述工作件的至少一端开口,所述定位部包括至少一个定位槽,所述定位槽的形状与所述工作件的开口匹配以将所述开口插入所述定位槽。
3.根据权利要求2所述的存储装置,其特征在于,所述定位部包括多个同心定位槽,以放置不同尺寸的工作件。
4.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,所述工作件的至少一端为平面,所述定位部包括多个定位槽,所述工作件的平面放置在所述定位槽的槽壁顶面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储装置,其特征在于,所述加热件设置在所述基座的顶面的凹坑,所述加热件形成所述定位部;或
所述基座的顶面形成所述定位部,所述加热件安装在所述基座下方并与所述定位部的形状适配。
6.根据权利要求5所述的存储装置,其特征在于,所述加热件为螺旋红外加热管,所述螺旋红外加热管的每圈之间留有缝隙。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的存储装置,其特征在于,所述升降组件包括导轨和驱动机构,所述导轨的下端与所述基座下方的支撑腿连接;
所述导轨包括第一导轨和第二导轨,所述第一导轨和所述第二导轨分别设置在所述基座的同一侧,所述第一导轨和所述第二导轨分别与所述罩体转动配合;
所述驱动机构设置在所述基座的下方,用于驱动所述第一导轨和所述第二导轨运动。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的存储装置,其特征在于,所述存储本体还包括设置在所述基座上的支架,所述支架包括至少两个从上至下依次设置的放置板。
9.一种真空存储装置,其特征在于,其包括权利要求1至8中任一项所述的存储装置和抽气装置,所述抽气装置包括抽气孔和真空泵,所述抽气孔设置在所述基座的顶面,所述真空泵通过所述抽气孔抽出所述容纳腔内的气体。
10.根据权利要求9所述的真空存储装置,其特征在于,所述基座上设置凹槽,所述凹槽沿所述基座的边缘周向设置,所述罩体卡合在所述凹槽内形成所述容纳腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造