[实用新型]一种用于聚酰胺酸膜基板刻蚀的定位装置有效
申请号: | 202120349390.9 | 申请日: | 2021-02-06 |
公开(公告)号: | CN214012922U | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 王传华;李铭新;王冰;陈宝喜;贾杰 | 申请(专利权)人: | 波米科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 济南文衡创服知识产权代理事务所(普通合伙) 37323 | 代理人: | 郭晓丹 |
地址: | 252300 山东省聊城*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 聚酰胺 酸膜基板 刻蚀 定位 装置 | ||
本实用新型公开了一种用于聚酰胺酸膜基板刻蚀的定位装置,包括主体机构、调节机构、固定机构、拉杆、连接板、卡环、防滑垫、滑杆、压簧、连杆和转动机构。本实用新型的有益效果是:拉杆固定于连接板,连接板抵触于调节机构侧壁并与滑杆一端固定,滑杆滑动于调节机构内且另一端固定于卡环,卡环滑动于调节机构内,压簧套接于滑杆的侧壁且两端分别固定于调节机构和卡环,连杆一端转动连接于卡环的内壁且另一端转动连接于调节机构内壁,拉动拉杆,进而使连接板带动滑杆滑动时卡环对压簧进行挤压,进而使卡环在调节机构的内部滑动,进而便于操作人员将基板放入主体机构顶端,进而便于对基板进行固定的同时也可以使操作人员更加便捷的改变其刻蚀方向。
技术领域
本实用新型涉及一种定位装置,具体为一种用于聚酰胺酸膜基板刻蚀的定位装置,属于聚酰胺酸膜基板刻蚀技术领域。
背景技术
刻蚀技术,是种半导体工艺,按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺,而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
然而,传统的圆形基板在进行刻蚀时,操作人员需要手动将圆形基板固定并将激光头对准基板,操作的步骤繁杂且耗时较长,而且,在圆形基板的刻蚀过程中,操作人员还需要手动对基板的刻蚀方向进行调整,基板在重新拆卸又安装的反复过程中容易使原有的刻蚀位置发生改变,进而容易造成刻蚀效果产生误差,一定程度上也不利于提高基板刻蚀的效率。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于聚酰胺酸膜基板刻蚀的定位装置,操作灵活,便于安装,在便于操作人员对基板固定的同时也便于操作人员改变基板刻蚀的方向,进而有利于提高装置的使用效率。
本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的,一种用于聚酰胺酸膜基板刻蚀的定位装置,包括主体机构,所述主体机构的内部对称滑动连接有两个调节机构,所述调节机构的内部滑动连接有固定机构,所述固定机构包括拉杆、连接板、卡环、防滑垫、滑杆、压簧和连杆,所述拉杆的两端固定安装于所述连接板的侧壁,所述连接板抵触于所述调节机构的侧壁并与所述滑杆的一端固定连接,所述滑杆滑动连接于所述调节机构的内壁且另一端固定连接于所述卡环的内壁,所述卡环滑动于所述调节机构的内部,所述防滑垫粘接于所述卡环背离所述滑杆的侧壁,所述压簧套接于所述滑杆的侧壁且两端分别固定连接于所述调节机构和所述卡环,两个所述连杆的一端对称转动连接于所述卡环的内壁且另一端转动连接于所述调节机构的内壁,所述主体机构的内部转动连接有转动机构。
优选的,为了便于操作人员调整基板的刻蚀方向,所述主体机构包括转盘和底座,所述转盘转动连接于所述底座的顶端,且所述转盘为圆形结构。
优选的,为了便于对定位装置进行固定,所述主体机构还包括支撑板和螺钉,两个所述支撑板的一端对称固定连接于所述底座的底端,且所述支撑板为L形结构,两个所述螺钉对称螺纹连接于所述支撑板的内壁。
优选的,为了便于使第一螺杆转动,所述调节机构包括旋钮、滑槽和第一螺杆,所述第一螺杆的一端贯穿所述转盘的内壁并延伸至所述旋钮,所述旋钮转动连接于所述转盘的侧壁,所述转盘的内部设有所述滑槽,所述第一螺杆转动连接于所述转盘内部设有的所述滑槽部位,且所述第一螺杆两端的螺纹转动方向相反。
优选的,为了便于滑块带动卡板滑动,所述调节机构还包括卡板和滑块,两个所述滑块对称滑动连接于所述转盘内部设有的所述滑槽部位,且所述滑块螺纹连接于所述第一螺杆的侧壁,所述滑块的顶端固定连接于所述卡板,两个所述卡板对称滑动连接于所述转盘的顶端,所述连接板抵触于所述卡板的侧壁,所述滑杆滑动连接于所述卡板的内壁,所述压簧的一端固定连接于所述卡板的内壁,所述连杆的一端转动连接于所述卡板的内壁。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造