[实用新型]一种关于芯片掉电记忆的控制电路有效

专利信息
申请号: 202120328720.6 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN214796767U 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 郭维富;张福传;曾添雄;张越传 申请(专利权)人: 深圳市阳邦兴业智能科技有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 代理人: 田琼
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 关于 芯片 掉电 记忆 控制电路
【权利要求书】:

1.一种关于芯片掉电记忆的控制电路,其特征在于,所述关于芯片掉电记忆的控制电路包括放电检测电路、过零检测电路和芯片供电电路,所述放电检测电路与所述过零检测电路、所述芯片供电电路电连接,能够延长芯片掉电时间;所述芯片供电电路设有芯片、二极管D1和电容C2,所述芯片与所述电容C2的两端电连接,所述二极管D1与所述芯片电连接。

2.根据权利要求1所述的关于芯片掉电记忆的控制电路,其特征在于,所述放电检测电路设有电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和电容C1,所述电阻R1与所述三极管Q1的1脚电连接,所述电阻R2与所述三极管Q1的2脚电连接,所述电容C1与所述三极管Q1的3脚电连接,所述电阻R3的两端与所述电容C1电连接,所述芯片的IO口1与所述三极管Q1的1脚电连接,所述芯片的IO口2与所述三极管Q1的3脚电连接。

3.根据权利要求1所述的关于芯片掉电记忆的控制电路,其特征在于,所述过零检测电路设有电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C3和三极管Q2,所述电阻R4与所述电阻R5电连接,所述电阻R5与所述三极管Q2的1脚电连接,所述电阻R6与所述三极管Q2的2脚电连接,所述电容C3一端与所述三极管Q2的2脚电连接,另一端与所述三极管Q2的3脚电连接,所述芯片IO口3与所述三极管Q2的2脚电连接。

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