[实用新型]一种供气均匀的晶体炉结构

说明书

本实用新型涉及晶体炉技术领域，公开了一种供气均匀的晶体炉结构，包括底座、固定在底座上的内炉筒，内炉筒的外侧设有外炉筒，内炉筒与外炉筒之间形成冷却腔，内炉筒与外炉筒的上端固定有炉体法兰，炉体法兰的上侧设有炉盖，炉体法兰的内壁设有环形导流槽，炉体法兰的外壁设有与环形导流槽连接的进气孔，进气孔的外端连接有进气接头，进气接头的中心设有中心孔，进气接头的外端连接有进气管，环形导流槽的开口端设有环形挡环形挡圈与炉体法兰的内壁焊接连接，环形挡圈上设有若干沿周向分布的分流孔，每个分流孔均与环形导流槽连通；所述底座的中心设有抽气管。本实用新型具有进气均匀、能有效提高晶体生长质量的有益效果。

技术领域

本实用新型涉及晶体炉技术领域，尤其涉及一种供气均匀的晶体炉结构。

背景技术

晶体炉是生产单晶硅、多晶硅、碳化硅的的制造设备。主要由炉体、加热器、计算机控制系统、设备框架、真空抽气系统等部分组成。碳化硅PVT法晶体制备工艺是先将炉体内部抽至超高真空，升温至2400℃左右，然后向炉体内冲入氩气、氮气等惰性气体，以控制炉体内部的压力符合晶体生长的工艺要求。碳化硅PVT法晶体制备工艺对炉体内部不同区域的同一水平面位置的范围内的压差要求很高，压差越小越好，但是现有的晶体炉中通常都是直接在炉壁上设置一个充气口和一个吸气管，但是由于供气不均匀容易导致炉体内部不同区域同一水平面位置范围内的压差较大而影响晶体的生长质量。

实用新型内容

本实用新型为了解决现有技术中晶体炉中供气不均匀导致同一水平面位置范围内的压差较大而影响晶体生长质量的问题，提供了一种供气均匀的晶体炉结构，该种晶体炉供气均匀，使得不同区域同一水平面位置范围内压差减小，提高晶体生长质量。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种供气均匀的晶体炉结构，包括底座、固定在底座上的内炉筒，内炉筒的外侧设有外炉筒，内炉筒与外炉筒之间形成冷却腔，内炉筒与外炉筒的上端固定有炉体法兰，炉体法兰的上侧设有炉盖，所述炉体法兰的内壁设有环形导流槽，所述炉体法兰的外壁设有与环形导流槽连接的进气孔，所述进气孔的外端连接有进气接头，进气接头的中心设有中心孔，所述进气接头的外端连接有进气管，所述环形导流槽的开口端设有环形挡圈，所述环形挡圈与炉体法兰的内壁焊接连接，所述环形挡圈上设有若干沿周向分布的分流孔，每个分流孔均与环形导流槽连通；所述底座的中心设有抽气管。进气管中供入惰性气体，抽气机与抽气管连接，惰性气体经过进气孔进入环形导流槽内，最后从多个分流孔处均匀进入炉体内，从而使得炉体内不同区域同一水平面位置范围内压差减小、区域一致，提高晶体生长质量；该种结构可以直接对普通晶体炉进行改造，改造成本低。

作为优选，所述炉体法兰的内壁上位于环形挡圈的下侧设有定位凸环。定位凸环便于环形挡圈与炉体法兰焊接时的定位。

作为优选，所述进气接头与进气孔的外端之间螺纹连接，进气接头的内端端面设有端面密封圈，进气接头的内端侧面设有环形密封圈。进气接头与螺纹连接孔螺纹连接，安装、拆卸都非常方便，而且密封性能好，不易漏气。

作为优选，所述进气接头的外端设有第一卡接凸环，进气管的端部设有第二卡接凸环，所述第一卡接凸环与第二卡接凸环的外侧设有卡箍，第一卡接凸环与第二卡接凸环之间设有骨架密封圈。进气接头与进气管之间通过卡箍卡接，连接、分离均非常方便。

作为优选，所述进气接头内的中心孔的外圈设有滤芯安装孔，所述滤芯安装孔内设有滤芯。滤芯对进入炉体内的气体进行过滤，防止气体中的粉尘等杂质进入炉体内；而且滤芯更换也非常方便，只需要打开卡箍就能更换滤芯。

因此，本实用新型具有进气均匀、能有效提高晶体生长质量的有益效果。

附图说明

图1为本实用新型的一种结构示意图。

图2为图1中A处局部放大示意图。