[实用新型]一种声表滤波器结构有效
申请号: | 202120221224.0 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN214380840U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 徐建卫 | 申请(专利权)人: | 赫芯(浙江)微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/02 |
代理公司: | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人: | 王奎宇;杨孟娟 |
地址: | 314214 浙江省嘉兴市平湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 滤波器 结构 | ||
本申请公开了一种声表滤波器结构,该结构包括:衬底,其上设有导线和电极;金属线条区域,其部分覆盖于所述衬底的表面;绝缘层,其覆盖于所述金属线条区域的表面;金属层,其覆盖于所述导线和电极的表面。本申请避免了声表滤波器工艺过程中金属颗粒对金属线条区域的污染,降低了金属线条区域短路和尖端放点的可能性,提高了器件的可靠性。
技术领域
本申请属于声表波滤波器技术领域,尤其涉及一种提高声表滤波器良率、改善功率耐受性的声表滤波器结构。
背景技术
声表波滤波器(SAW)集低插入损耗和良好的抑制性能于一身,广泛应用于信号接收机前端以及双工器和接收滤波器等领域,可实现宽带宽和小体积。声表滤波器结构包括形成于压电基板上的叉指换能器和反射器,反射器位于叉指换能器两侧,电输入信号通过间插的金属叉指换能器转换为声波。为了提高可靠性,金属层被介质薄膜覆盖,如二氧化硅或氮化硅薄膜,仅在需要接触点开接触孔与外部实现电学连接。
声表滤波器一般用晶圆级工艺实现,如图1和图2所示,在衬底如压电晶体表面镀金属层先用剥离工艺或者光刻刻蚀工艺形成叉指换能器2a和反射器2b。该层金属因为要实现频率匹配,厚度一般100~300nm,为周期性细金属条结构。电极部分要具备低的电阻率,所以后面一道工序往往用剥离工艺,用光刻胶保护叉指换能器2b和反射器2a,在电极部分继续沉积金属到1~5μm。然后覆盖绝缘层3,通过光刻刻蚀方法开出导电通孔4。上述剥离工艺的原理是利用超声,将在光刻胶上的金属层在溶剂中剥离,粉碎。溶剂中充满悬浮金属颗粒,需要后面反复清洗。该工艺过程很难完全避免颗粒沾污金属线条区域。一旦有颗粒污染,叉指换能器会造成短路失效,或者在后续工作中容易发生电击穿失效。
实用新型内容
针对上述现有技术的缺点或不足,本申请要解决的技术问题是提供一种声表滤波器结构。
为解决上述技术问题,本申请通过以下技术方案来实现:
本申请一方面提出了一种声表滤波器结构,包括:
衬底,其上设有导线和电极;
金属线条区域,其部分覆盖于所述衬底的表面;
绝缘层,其覆盖于所述金属线条区域的表面;
金属层,其覆盖于所述导线和电极的表面。
进一步地,上述的声表滤波器结构,其中,所述衬底包括:钽酸锂、铌酸锂、石英,或者,在硅衬底或者蓝宝石衬底上形成的压电薄膜。
进一步地,上述的声表滤波器结构,其中,所述金属线条区域包括叉指换能器以及分布于所述叉指换能器两端的反射器。
进一步地,上述的声表滤波器结构,其中,所述金属线条区域包括钛薄膜结构或者铝薄膜结构。
进一步地,上述的声表滤波器结构,其中,所述钛薄膜结构的溅射厚度为5~50nm,所述铝薄膜结构的溅射厚度为50~500nm。
进一步地,上述的声表滤波器结构,其中,所述绝缘层包括:二氧化硅层、氮化硅层或氧化铝层中的至少一层。
进一步地,上述的声表滤波器结构,其中,所述绝缘层的沉积厚度为100~1000nm。
进一步地,上述的声表滤波器结构,其中,所述金属层包括:钛层、铝层、铜层或金层中的至少一层。
进一步地,上述的声表滤波器结构,其中,所述金属层的沉积厚度为1~3μm。
本申请另外一方面提出了一种上述的声表滤波器结构的制造方法,所述制造方法包括:
在衬底上形成金属线条区域;
沉积绝缘层;
沉积金属层。
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