[实用新型]一种声表滤波器结构有效
申请号: | 202120221224.0 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN214380840U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 徐建卫 | 申请(专利权)人: | 赫芯(浙江)微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/02 |
代理公司: | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人: | 王奎宇;杨孟娟 |
地址: | 314214 浙江省嘉兴市平湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 滤波器 结构 | ||
1.一种声表滤波器结构,其特征在于,包括:
衬底,其上设有导线和电极;
金属线条区域,其部分覆盖于所述衬底的表面;
绝缘层,其覆盖于所述金属线条区域的表面;
金属层,其覆盖于所述导线和电极的表面。
2.根据权利要求1所述的声表滤波器结构,其特征在于,所述衬底包括:钽酸锂、铌酸锂、石英,或者,在硅衬底或者蓝宝石衬底上形成的压电薄膜。
3.根据权利要求1所述的声表滤波器结构,其特征在于,所述金属线条区域包括叉指换能器以及分布于所述叉指换能器两端的反射器。
4.根据权利要求3所述的声表滤波器结构,其特征在于,所述金属线条区域包括钛薄膜结构或者铝薄膜结构。
5.根据权利要求4所述的声表滤波器结构,其特征在于,所述钛薄膜结构的溅射厚度为5~50nm,所述铝薄膜结构的溅射厚度为50~500nm。
6.根据权利要求1至5任一项所述的声表滤波器结构,其特征在于,所述绝缘层包括:二氧化硅层、氮化硅层或氧化铝层中的至少一层。
7.根据权利要求6所述的声表滤波器结构,其特征在于,所述绝缘层的沉积厚度为100~1000nm。
8.根据权利要求1至5任一项所述的声表滤波器结构,其特征在于,所述金属层包括:钛层、铝层、铜层或金层中的至少一层。
9.根据权利要求8所述的声表滤波器结构,其特征在于,所述金属层的沉积厚度为1~3μm。
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