[实用新型]一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备

说明书

本实用新型公开了一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，包括依次设置的AZO镀膜区及SiN镀膜区，以及对应AZO镀膜区及SiN镀膜区的链式传输机构，装载有硅片的载板平躺在链式传输机构上依次经过AZO镀膜区及SiN镀膜区。本实用新型在同一台设备中同时实现AZO和SiN镀膜，工序整合度高，制程周期短，极大降低了设备和人工成本投入，生产效率和产品良率得到有效提升，从而有效降低了太阳能电池制造成本；且AZO+SiN叠层保护膜同时具备良好的导电性和透光性，可以减薄掺杂非晶硅厚度以提高太阳光利用率并增加发电量，能够跟银或其它金属形成良好的欧姆接触以使接触电阻减少而进一步提升了电池效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域，特别涉及一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备。

背景技术

近年来，随着晶硅太阳能电池的研究和发展，理论和实践都证明表面钝化是电池效率提升的必经之路。

在PERC、TOPCon等晶硅太阳能电池结构中，通过在硅片的表面设计一层或多层钝化结构来提高转换效率，比如SiN+Al₂O₃的叠层在PERC电池上的应用，由于硅片上沉积氧化铝钝化层较薄，需要在此氧化铝膜上沉积SiN作保护作用，同时，降低背面的反射率而达到更优的钝化表面。类似的，在TOPCon电池结构中，掺杂多晶硅薄膜表面也需镀制一层SiN来实现同样的保护作用。然而，SiN为绝缘层，它会隔绝电池片最外层银线电极跟底层电极的欧姆接触，以致无法将光生电荷从硅本体导出。

为实现欧姆接触，现有技术通常会使用一种穿透银浆，将其印刷在SiN薄膜表面并经过高温烧结，使得银浆穿透SiN并与氧化铝或掺杂多晶硅等钝化层形成欧姆接触。但是，穿透银浆价格昂贵而极大增加了太阳能电池的制造成本。

因此，需要开发更有效的钝化接触膜以实现良好的欧姆接触并有效降低太阳能电池的制造成本。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，包括依次设置在同一镀膜腔内的AZO镀膜区及SiN镀膜区，以及对应所述AZO镀膜区及SiN镀膜区的链式传输机构，装载有硅片的载板平躺在所述链式传输机构上依次经过所述AZO镀膜区及SiN镀膜区。

进一步的，所述AZO镀膜区的入料端还设置有装载腔，所述SiN镀膜区的出料端还设置有卸载腔。

进一步的，所述装载腔的入料端还设置有硅片自动化上料机构，所述卸载腔的出料端还设置有硅片自动化下料机构。

其中，所述上料机构和下料机构分别设置在镀制设备的两端或同一端。

进一步的，所述上料机构与下料机构之间还设置有载板回转机构。

进一步的，所述AZO镀膜区及SiN镀膜区之间还设置有过渡腔。

其中，所述AZO镀膜区和SiN镀膜区内均采用PVD工艺以实现AZO和SiN薄膜的镀制；或者，所述AZO镀膜区内采用PVD工艺以实现AZO薄膜的镀制，且所述SiN镀膜区内采用PECVD工艺以实现SiN薄膜的镀制。

其中，AZO镀膜时，采用至少一组AZO靶材，载气采用氩气或其它惰性气体。

其中，SiN镀膜时，采用至少一组硅靶材，用旋转式磁控溅射方法，载气用氩气或其它惰性气体，同时适量通入NH₃，在真空环境中，溅射产生的硅和在溅射等离子体中分解的NH₃形成SiN，在硅片表面形成SiN膜。进一步的，通入NH₃并通入H₂和N₂，且NH₃、H₂和N₂预先混合导入或分别导入。进一步的，硅靶材里掺入Al、B、P、N、O等其它元素，以增加其导电性且更利于溅射。