[实用新型]一种带有固定套件的晶圆去胶设备有效
| 申请号: | 202120216038.8 | 申请日: | 2021-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN214753641U | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
| 发明(设计)人: | 姚林松;李松松;李雪松 | 申请(专利权)人: | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 张晨 |
| 地址: | 404040 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 带有 固定 套件 晶圆去胶 设备 | ||
本实用新型涉及晶圆加工技术领域,公开了一种带有固定套件的晶圆去胶设备,包括反应腔体,反应腔体上端固定连接有进气管,进气管下部设置有分流板,分流板下方的反应腔体上设置有电感线圈,反应腔体中部固定连接有细孔圆盘,细孔圆盘包括小圆盘,小圆盘外边缘固定连接有大圆盘,小圆盘和大圆盘上均开设有若干通孔,反应腔体的下部固定连接有陶瓷线圈,陶瓷线圈的内径与大圆盘直径相等,反应腔体下方设置有用于放置晶圆的升降台。本实用新型能够解决现有设备对晶圆边缘的胶不能完全的去除干净,严重影响芯片性能的问题。
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工技术领域,尤其涉及一种带有固定套件的晶圆去胶设备。
背景技术
在完成半导体的刻蚀工艺后,通常需要去除晶圆表面的光刻胶以及刻蚀过程产生的一些残留物。
目前大多数去胶设备是将晶圆放在陶瓷底板上,然后从机台上方充入气体(CF4,N2,O2)经过细孔,通过RF射频,形成等离子气体,等离子气体均匀的到达晶圆表面进行蚀刻,去除表面的光刻胶。但是通过此方法发现晶圆边缘的胶根本不能完全的去除干净,由于去胶不干净,金属断层,可能出现漏电,电压偏高,电阻值偏大,严重影响芯片性能。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的是提供一种带有固定套件的晶圆去胶设备,能够解决现有设备对晶圆边缘的胶不能完全的去除干净,严重影响芯片性能的问题。
本实用新型通过以下技术手段解决上述技术问题:一种带有固定套件的晶圆去胶设备,包括反应腔体,反应腔体上端固定连接有进气管,进气管下部设置有分流板,分流板下方的反应腔体上设置有电感线圈,电感线圈外接射频源;反应腔体内固定连接有固定套件,固定套件包括细孔圆盘和陶瓷线圈,细孔圆盘包括小圆盘,小圆盘外边缘固定连接有大圆盘,小圆盘和大圆盘上均开设有若干通孔,小圆盘的厚度小于大圆盘的厚度,大圆盘外边缘与反应腔体中部固定连接,陶瓷线圈固定连接在反应腔体的下部,陶瓷线圈的内径与大圆盘直径相等,反应腔体下方设置有用于放置晶圆的升降台;在小圆盘外增加大圆盘,使气体(CF4,N2,O2)能够均匀的到达边缘,气体能够更加均匀的分布在反应腔体内,使用少量的RF射频就能更加充分的将气体轰击成等离子体,当升降台将晶圆上升到反应腔体内后,更能充分均匀的发生反应,下方的陶瓷线圈能够使等离子体聚集,便于增加边缘等离子体的浓度,使得晶圆边缘能够得到蚀刻,晶圆边缘的胶能够去除干净。
进一步,所述小圆盘的位置比大圆盘的位置高,大圆盘和小圆盘形成阶梯状;便于气体均匀分布。
进一步,所述细孔圆盘的数量为2个,2个细孔圆盘上下设置,2个细孔圆盘的结构相同2个细孔圆盘的通孔相互错位;通过细孔圆盘双层错位的设置可以过滤掉一部分能量,避免RF射频轰击气体成等离子体时,能量过高对晶圆背部损伤。
进一步,所述陶瓷线圈的外径比内径大10毫米;陶瓷线圈能够使等离子体聚集,便于增加晶圆边缘的等离子体浓度,使得晶圆边缘能够得到蚀刻,晶圆边缘的胶能够去除干净。
进一步,所述陶瓷线圈外侧固定连接有金属圈,金属圈与反应腔体固定连接;在反应腔体与陶瓷线圈之间增加金属圈,避免对陶瓷线圈打孔连接,能够增大陶瓷线圈的使用寿命。
进一步,所述升降台包括电缸,电缸的伸缩杆固定连接有用于放置晶圆的工作台,工作台的直径与陶瓷线圈内径相等;电缸推动伸缩杆,工作台向上移动,直至工作台下端与金属圈下端在同一水平,使得晶圆能够被推动到反应腔体内进行去胶。
本实用新型的有益效果:
(1)本实用新型通过在小圆盘外增加大圆盘,并且大圆盘上也有若干通孔,使等离子体能够均匀的到达晶圆边缘,并且在陶瓷线圈的聚集作用下,使得晶圆边缘能够得到蚀刻,晶圆边缘的胶能够去除干净。
(2)本实用新型通过双层细孔圆盘的设置,可以过滤掉一部分能量,避免RF射频轰击气体成等离子体时,能量过高对晶圆背部损伤。
附图说明
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