[实用新型]防护薄膜框架及其组件、曝光原版、曝光系统及制造系统

说明书

本实用新型的目的在于提供一种防护薄膜框架及使用所述防护薄膜框架的防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光系统、以及半导体或液晶显示板的制造系统，所述防护薄膜框架通过将对于检查光的框架内表面的反射率设置得低，而可尽可能地抑制来自框架的散射光，可提高异物检查性，并且通过降低仅对于检查光的波长的反射率，而框架的着色等的限制少。所述防护薄膜框架，其为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，且其中：所述防护薄膜框架的至少内侧面处的光源波长500nm～1000nm的最小反射率为20％以下；一种防护薄膜组件，其中：包括所述防护薄膜框架作为结构要素。

技术领域

本实用新型涉及一种作为除尘器而装设于微影(lithography)用光掩模的防护薄膜框架(pellicle frame)、防护薄膜组件(pellicle)、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光系统、以及半导体或液晶显示板的制造系统。

背景技术

近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向亚四分之一微米(sub-quarter micron)的微细化，伴随于此，正推进曝光光源的短波长化。即，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i 射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm) 等，进而研究有使用主波长13.5nm的极紫外光(ExtremeUltra Violet Light， EUV光)的EUV曝光。

在LSI、超LSI等半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶片或液晶用原板照射光来制作图案，若此时使用的微影用掩模及标线(reticle)(以下，加以总称而记述为“曝光原版”)附着有尘埃，则所述尘埃会吸收光，或者会使光弯曲，因此所转印的图案变形，或者边缘粗杂，此外，还存在基底被染黑，尺寸、品质、外观等受损的问题。

这些作业通常是于洁净室(clean room)内进行，但即便如此，也难以使曝光原版始终保持洁净。因此，通常采用于在曝光原版表面贴附防护薄膜组件作为除尘器后进行曝光的方法。此情况下，异物不会直接附着于曝光原版的表面，而是附着于防护薄膜组件上，因此，若在微影时使焦点在曝光原版的图案上对焦，则防护薄膜组件上的异物便与转印无关。

所述防护薄膜组件的基本结构为：在包含铝或钛等的防护薄膜框架的上端面张设相对于曝光中所使用的光而透过率高的防护膜，并且在下端面形成气密用衬垫(gasket)。气密用衬垫通常使用粘合剂层，并贴附有以保护所述粘合剂层为目的的保护片。防护膜包含使曝光中使用的光(基于水银灯的g 射线(436nm)、i射线(365nm)、KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等)良好地透过的硝基纤维素、乙酸纤维素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用途中，正在研究极薄硅膜或碳膜来作为防护膜。

防护薄膜组件的目的在于保护曝光原版以便异物不会附着于曝光原版，因此，对防护薄膜组件要求非常高的洁净度。因此，在防护薄膜组件制造工序中，需要在出货前检查防护膜、防护薄膜框架、粘合剂及保护片是否没有附着异物。

通常，对防护薄膜框架的异物检查是在暗室中将聚光照射到框架，并以目视检测来自异物的散射光。若防护薄膜框架的内表面存在异物，则异物会因振动或空气的移动而容易地落下至掩模面。因此，最近，除了目视检查以外，增加有利用异物检查装置来对防护薄膜框架内表面进行检查。通常，在异物检查装置中，对防护薄膜框架照射He-Ne激光或半导体激光等激光，并利用半导体检测器(电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD))等检测来自异物的散射光。

但是，并无对来自防护薄膜框架内表面的散射光与来自异物的散射光进行分辨的手段，且存在检测器会检测到由防护薄膜框架引起的散射光，无法正常地进行异物检查的问题。