[实用新型]防护薄膜框架及其组件、曝光原版、曝光系统及制造系统有效
| 申请号： | 202120107916.2 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN215416267U | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 簗瀬优 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京千代田区大手町二丁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防护 薄膜 框架 及其 组件 曝光 原版 系统 制造 | ||
1.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的四边形框状的防护薄膜框架，其特征在于：所述防护薄膜框架的至少内侧面处的光源波长500nm～1000nm的最小反射率为20％以下。
2.根据权利要求1所述的防护薄膜框架，其特征在于：所述最小反射率为10％以下。
3.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：光源波长500nm～1000nm的所有波长下的反射率为20％以下。
4.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：光源波长500nm～1000nm的所有波长下的反射率为10％以下。
5.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：防护薄膜框架的整个周面处的光源波长500nm～1000nm的最小反射率为20％以下。
6.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：防护薄膜框架为钛框架或钛合金框架。
7.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：防护薄膜框架为铝框架或铝合金框架。
8.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：防护薄膜框架的厚度小于2.5mm。
9.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：防护薄膜框架的厚度小于1.5mm。
10.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：在防护薄膜框架的表面形成有氧化膜。
11.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：防护薄膜框架的表面被黑色化。
12.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其特征在于：四边形框状为对四边形的角部进行倒角加工而成的形状。
13.一种防护薄膜组件，其为包括防护薄膜框架、以及经由粘合剂或粘接剂而设置于所述防护薄膜框架的一端面的防护膜的防护薄膜组件，其特征在于：所述防护薄膜框架的至少内侧面处的光源波长500nm～1000nm的最小反射率为20％以下。
14.根据权利要求13所述的防护薄膜组件，其特征在于：所述最小反射率为10％以下。
15.根据权利要求13或14所述的防护薄膜组件，其特征在于：光源波长500nm～1000nm的所有波长下的反射率为20％以下。
16.根据权利要求13或14所述的防护薄膜组件，其特征在于：光源波长500nm～1000nm的所有波长下的反射率为10％以下。
17.根据权利要求13或14所述的防护薄膜组件，其特征在于：防护薄膜框架的整个周面处的光源波长500nm～1000nm的最小反射率为20％以下。
18.根据权利要求13或14所述的防护薄膜组件，其特征在于：防护薄膜框架为钛框架或钛合金框架。
19.根据权利要求13或14所述的防护薄膜组件，其特征在于：防护薄膜框架为铝框架或铝合金框架。
20.根据权利要求13或14所述的防护薄膜组件，其特征在于：防护薄膜框架的厚度小于2.5mm。
21.根据权利要求13或14所述的防护薄膜组件，其特征在于：防护薄膜框架的厚度小于1.5mm。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
