[实用新型]一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构

权利要求书

1.一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，包括

基础组件(100)，所述基础组件(100)包括VDMOS器件本体(110)、引脚(120)和浪涌电压抑制器(130)，所述引脚(120)设置在所述VDMOS器件本体(110)上，所述浪涌电压抑制器(130)与所述VDMOS器件本体(110)电性连接；

防护组件(200)，所述防护组件(200)包括外壳(210)、顶盖(220)、锁紧件(230)、隔板(240)、限位板(250)和扭簧(260)，所述VDMOS器件本体(110)和所述浪涌电压抑制器(130)均设置在所述外壳(210)内，所述顶盖(220)通过所述锁紧件(230)固定在所述外壳(210)顶部，所述隔板(240)固定在所述外壳(210)内壁，两个所述限位板(250)分别通过两个所述扭簧(260)转动设置在所述外壳(210)内腔两侧。

2.根据权利要求1所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述浪涌电压抑制器(130)为金属氧化物压敏电阻MOV。

3.根据权利要求1所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述外壳(210)包括壳体(211)和减震层(212)，所述减震层(212)设置在所述壳体(211)侧壁内部。

4.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述外壳(210)还包括保护套(213)，所述保护套(213)固定在所述壳体(211)外壁，所述保护套(213)套设在所述引脚(120)上。

5.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述外壳(210)还包括弹性垫圈(214)，所述弹性垫圈(214)设置在所述壳体(211)顶部开口处。

6.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述壳体(211)侧壁开设有换气口(215)，所述换气口(215)内固定有防尘网。

7.根据权利要求1所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述顶盖(220)上表面开设有凹槽，所述锁紧件(230)顶部下沉式安装于所述凹槽内。

8.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述限位板(250)包括板体(251)和缓冲垫(252)，所述板体(251)通过所述扭簧(260)与所述壳体(211)内壁转动连接，所述缓冲垫(252)固定在所述板体(251)一侧。

9.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述防护组件(200)还包括除湿件(270)，所述除湿件(270)固定在所述壳体(211)内壁。

10.根据权利要求9所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述除湿件(270)包括网框(271)和吸湿颗粒层(272)，所述网框(271)固定在所述壳体(211)内壁，所述吸湿颗粒层(272)设置在所述网框(271)内。