[实用新型]一种麦克风及通话设备

说明书

本实用新型涉及麦克风技术领域，公开一种麦克风及通话设备，其中麦克风包括第一基板、MEMS芯片、ASIC芯片及第一屏蔽线，MEMS芯片用于输出低频率电信号，ASIC芯片与MEMS芯片电连接，用于将MEMS芯片输出的低频率电信号转化为高频率电信号，第一屏蔽线设置在第一基板内且首尾相连形成闭环，第一屏蔽线沿ASIC芯片的外周分布且用于屏蔽外界的干扰信号对ASIC芯片的干扰。本实用新型公开的麦克风，增设的第一屏蔽线能够阻碍干扰电信号对ASIC芯片的影响，降低了麦克风的ASIC芯片受干扰电信号的干扰而产生的杂音。

技术领域

本实用新型涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种麦克风及通话设备。

背景技术

现有技术中，手机或者固定电话中放置有可以发射GHz级别频率的射频器件，该射频器件工作时会向四周传递干扰信号，其中一部分干扰信号会直接辐射进射频器件的正上方的器件，另一部分干扰信号会通过与射频器件下方的PCB传导至与该PCB相连的所有器件中，若器件抗射频信号干扰较差，会影响器件的正常工作。当麦克风应用在手机或者固定电话中，若麦克风的ASIC芯片的抗射频信号干扰较差反应到麦克风录音上就是嗡嗡声，所以应用在手机或者固定电话上的麦克风需要具有较高的抗射频信号干扰性能。

实用新型内容

基于以上所述，本实用新型的目的在于提供一种麦克风及通话设备，降低了因外界的干扰电信号对ASIC芯片的干扰而产生的杂音。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种麦克风，包括：第一基板；MEMS芯片，用于输出低频率电信号；ASIC芯片，与所述MEMS芯片电连接，用于将所述MEMS芯片输出的低频率电信号转化为高频率电信号；第一屏蔽线，所述第一屏蔽线设置在所述第一基板内且首尾相连形成闭环，所述第一屏蔽线沿所述ASIC芯片的外周分布且用于屏蔽外界的干扰信号对所述ASIC芯片的干扰。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括若干个第二屏蔽线，若干个所述第二屏蔽线均设置在所述第一基板内，每个所述第二屏蔽线的两端均与所述第一屏蔽线相连且所述第一屏蔽线和所述第二屏蔽线形成网状结构。

作为一种麦克风的优选方案，所述第一屏蔽线和所述第二屏蔽线均包括金线。

作为一种麦克风的优选方案，所述第一屏蔽线至所述第一基板设置所述ASIC芯片的表面的距离与所述第一基板的厚度的比值小于0.3。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括接地线，所述接地线的一端与所述ASIC芯片相连，所述接地线的另一端与所述第一基板相连。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括信号线，所述信号线的两端分别与所述MEMS芯片和所述ASIC芯片相连，所述信号线能够将所述MEMS芯片的低频率电信号传输至所述ASIC芯片。

作为一种麦克风的优选方案，所述MEMS芯片包括电连接的极板和振膜，所述振膜设置在所述极板上，所述极板设置在所述第一基板上。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括电源组件和连接线，所述电源组件的两端分别与电源和所述ASIC芯片相连，所述连接线的两端分别与所述MEMS芯片和所述ASIC芯片相连，所述电源依次通过所述电源组件、所述ASIC芯片及所述连接线为所述MEMS芯片供电。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括高频输出组件，所述高频输出组件的一端与所述MEMS芯片相连，另一端设置在所述第一基板上。

一种通话设备，包括第二基板、射频器件及以上任一方案所述的麦克风，所述第二基板上设有所述射频器件和所述第一基板，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片位于所述第一基板背离所述第二基板的一侧。