[实用新型]一种芯片版图

说明书

本实用新型公开了一种芯片版图，通过将主电阻和调节电阻电连接，且因调节电阻的阻值小于预设值，主电阻的阻值大于预设值，所以调节电阻的阻值与主电阻的阻值相比要较小，所以可以通过调节电阻对主电阻的阻值进行微调，而无需增加或减小主电阻的面积，在避免对版图整体布局造成不良影响的基础上，实现主电阻的微调，方法简单、快捷、有效，可以大大降低主电阻调整的工作量，还可以避免对周围结构造成不良影响。

技术领域

本实用新型涉及芯片设计技术领域，尤指一种芯片版图。

背景技术

在对芯片版图进行设计时，低功耗的模拟电路中常常需要用到阻值较大的电阻(可以称之为大电阻)，且这些大电阻可以由多个具有高电阻率的主电阻串联后形成。

其中，对于大电阻而言，若要微调大电阻的阻值时，通常的方法为：调整串联连接的每个主电阻的尺寸，以实现对大电阻阻值的微调。然而，该种调整方法可能会带来版图面积的改变，假设每个主电阻的面积增加时，会大大增加大电阻整体的占用面积，导致大电阻周围的结构被挪走而引起整体版图布局的改变，增加调整大电阻阻值的工作量。

那么，如何快速有效地调整大电阻的阻值，同时避免对周围结构的影响，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种芯片版图，用以快速有效地调整大电阻的阻值，同时避免对周围结构的影响。

本实用新型实施例提供了一种芯片版图，包括：主电阻和调节电阻；

所述主电阻的阻值大于预设值，所述调节电阻的阻值小于所述预设值；

所述主电阻与所述调节电阻电连接；

所述调节电阻用于：调整所述主电阻的阻值。

可选地，在本实用新型实施例中，所述主电阻与所述调节电阻异层设置且通过过孔电连接。

可选地，在本实用新型实施例中，所述主电阻在所述芯片版图的表面具有第一正投影，所述调节电阻在所述芯片版图的表面具有第二正投影；

所述第二正投影与所述第一正投影交叠。

可选地，在本实用新型实施例中，所述主电阻具有第一端和第二端，所述第一端和所述第二端在所述芯片版图表面的正投影之间的区域为第一区域；

至少部分所述第二正投影位于所述第一区域。

可选地，在本实用新型实施例中，所述调节电阻在所述芯片版图表面的正投影呈“弓”字型、“几”字型、波浪型或不规则形状设置。

可选地，在本实用新型实施例中，电连接的所述主电阻和所述调节电阻构成一个电阻组合，所述芯片版图包括多个电连接的所述电阻组合，各所述电阻组合的结构和阻值均相同。

可选地，在本实用新型实施例中，各所述电阻组合串联连接，且全部所述电阻组合的阻值之和至少为0.1兆欧姆。

可选地，在本实用新型实施例中，所述芯片版图包括：位于所述主电阻所在膜层之上的多个导电层，所述导电层中包括所述调节电阻；

至少部分所述导电层中的调节电阻与所述主电阻电连接。

可选地，在本实用新型实施例中，所述主电阻与电连接的各所述调节电阻之间的连接关系包括串联连接和并联连接中的至少一种。

可选地，在本实用新型实施例中，所述主电阻采用多晶硅半导体材料或掺杂单晶硅半导体材料制作，所述调节电阻采用金属材料或导电的金属氧化物材料制作。

本实用新型有益效果如下：