[实用新型]一种芯片版图有效
| 申请号： | 202120021086.1 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN214043665U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 江文 | 申请（专利权）人： | 炬芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘彩红 |
| 地址： | 519085 广东省珠海市高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 版图 | ||
1.一种芯片版图，其特征在于，包括：主电阻和调节电阻；
所述主电阻的阻值大于预设值，所述调节电阻的阻值小于所述预设值；
所述主电阻与所述调节电阻电连接；
所述调节电阻用于：调整所述主电阻的阻值。
2.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，所述主电阻与所述调节电阻异层设置且通过过孔电连接。
3.如权利要求2所述的芯片版图，其特征在于，所述主电阻在所述芯片版图的表面具有第一正投影，所述调节电阻在所述芯片版图的表面具有第二正投影；
所述第二正投影与所述第一正投影交叠。
4.如权利要求3所述的芯片版图，其特征在于，所述主电阻具有第一端和第二端，所述第一端和所述第二端在所述芯片版图表面的正投影之间的区域为第一区域；
至少部分所述第二正投影位于所述第一区域。
5.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，所述调节电阻在所述芯片版图表面的正投影呈“弓”字型、“几”字型或波浪型设置。
6.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，电连接的所述主电阻和所述调节电阻构成一个电阻组合，所述芯片版图包括多个电连接的所述电阻组合，各所述电阻组合的结构和阻值均相同。
7.如权利要求6所述的芯片版图，其特征在于，各所述电阻组合串联连接，且全部所述电阻组合的阻值之和至少为0.1兆欧姆。
8.如权利要求1所述的芯片版图，其特征在于，所述芯片版图包括：位于所述主电阻所在膜层之上的多个导电层，所述导电层中包括所述调节电阻；
至少部分所述导电层中的所述调节电阻与所述主电阻电连接。
9.如权利要求8所述的芯片版图，其特征在于，所述主电阻与电连接的各所述调节电阻之间的连接关系包括串联连接和并联连接中的至少一种。
10.如权利要求1-9任一项所述的芯片版图，其特征在于，所述主电阻采用多晶硅半导体材料或掺杂单晶硅半导体材料制作，所述调节电阻采用金属材料或导电的金属氧化物材料制作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
