[发明专利]一种基于垂直晶片的封装结构制作方法及封装结构

说明书

本发明公开了一种基于垂直晶片的封装结构制作方法及封装结构，所述封装结构制作方法包括如下步骤：S1、在LED基板上表面预制若干独立的金属区；S2、将电极极性相反的垂直晶片固定在所述金属区上表面；S3、用金线连接相邻所述金属区上的所述垂直晶片；S4、在所述垂直晶片四周铺设第一封装层；S5、在所述垂直晶片、所述金线及所述第一封装层上方铺设第二封装层。本发明能够实现垂直晶片的串联，达到“高电压”的目的，规避晶片与基板之间的金线连接，避免污染晶片，实现高密度高亮度的效果。

技术领域

本发明属于LED技术领域，具体涉及一种基于垂直晶片封装结构制作方法及封装结构。

背景技术

随着用于照明的半导体技术的发展，目前主要存在三种结构的LED晶片：正装、倒装与垂直结构。垂直结构的晶片在小间距的出光均匀度、散热性等方面有着天然的优势。此外，目前普通红光芯片多为垂直结构，为满足市场对LED颜色、规格越来越多的要求，基于特殊芯片的合理设计的封装结构显得尤为重要。

在现有技术中，基于垂直晶片的封装主要为单颗垂直晶片的封装，晶片间的串联通过单颗成品灯珠之间的串联实现，这容易导致单位面积内光密度不足；低压LED光源具有本身固有的弊端，包括驱动电源寿命短，无法在大电流下工作等，一般小型LED芯片在20-30mA，3V的环境下运行，单一般的电源芯片的运行环境为350mA，3V；由灯珠集成，由于发光点间距较大，容易导致成品光分布不均匀，不同区域间无法到达较好的光强一致性；在LED封装中，利用高反射率的白色树脂对产品进行提亮时，容易出现白色树脂沿金线从LED支架蔓延到芯片表面，污染芯片的问题。

发明内容

为了克服上述技术缺陷，本发明的第一方面提供了一种基于垂直晶片的封装结构制作方法，能够实现垂直晶片的串联，达到高密度高亮度的效果。

为了解决上述问题，本发明按以下技术方案予以实现的：

一种基于垂直晶片的封装结构制作方法，包括如下步骤：

S1、在LED基板上表面预制若干独立的金属区；

S2、将电极极性相反的垂直晶片固定在所述金属区上表面；

S3、用金线连接相邻所述金属区上的所述垂直晶片；

S4、在所述垂直晶片四周铺设第一封装层；

S5、在所述垂直晶片、所述金线及所述第一封装层上方铺设第二封装层。

进一步的，在所述步骤S2中，所述垂直晶片包括电极极性相反的第一垂直晶片、第二垂直晶片，所述第一垂直晶片和所述第二垂直晶片的数量按照1:1的比例固定在同一所述金属区上。

进一步的，在所述步骤S2中，在所述金属区表面采用全自动固晶机点设导电粘结层，所述垂直晶片通过所述导电粘结层固定在所述金属区上表面。

本发明的第二方面，还公开了一种基于垂直晶片的封装结构，采用上述任一项所述的封装结构制作方法制作得到，包括：LED基板、若干垂直晶片；

所述LED基板上包括若干独立的金属区，所述金属区上表面设有上下电极极性相反的垂直晶片，同一所述金属区上的所述垂直晶片通过下方金属区连接，相邻的所述金属区上的所述垂直晶片通过金线连接，所述金线位于所述垂直晶片上方，不与所述LED基板直接接触。

进一步的，所述垂直晶片包括第一垂直晶片和第二垂直晶片，所述第一垂直晶片和所述第二垂直晶片上下电极极性相反。

进一步的，所述金属区包括一对与外部电源导通的正极金属区与负极金属区及若干不与外部电源连接的独立金属区；