[发明专利]一种基于垂直晶片的封装结构制作方法及封装结构

权利要求书

1.一种基于垂直晶片的封装结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在LED基板上表面预制若干独立的金属区；

S2、将电极极性相反的垂直晶片固定在所述金属区上表面；

S3、用金线连接相邻所述金属区上的所述垂直晶片；

S4、在所述垂直晶片四周铺设第一封装层；

S5、在所述垂直晶片、所述金线及所述第一封装层上方铺设第二封装层。

2.根据权利要求1所述的封装结构制作方法，在所述步骤S2中，所述垂直晶片包括电极极性相反的第一垂直晶片、第二垂直晶片，所述第一垂直晶片和所述第二垂直晶片的数量按照1:1的比例固定在同一所述金属区上。

3.根据权利要求1所述的封装结构制作方法，在所述步骤S2中，在所述金属区表面采用全自动固晶机点设导电粘结层，所述垂直晶片通过所述导电粘结层固定在所述金属区上表面。

4.一种基于垂直晶片的封装结构，其特征在于，采用如权利要求1-3任一项所述的封装结构制作方法制作得到，包括：LED基板、若干垂直晶片；

所述LED基板上包括若干独立的金属区，所述金属区上表面设有上下电极极性相反的垂直晶片，同一所述金属区上的所述垂直晶片通过下方金属区连接，相邻的所述金属区上的所述垂直晶片通过金线连接，所述金线位于所述垂直晶片上方，不与所述LED基板直接接触。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述垂直晶片包括第一垂直晶片和第二垂直晶片，所述第一垂直晶片和所述第二垂直晶片上下电极极性相反。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述金属区包括一对与外部电源导通的正极金属区与负极金属区及若干不与外部电源连接的独立金属区；

所述独立金属区上表面设有所述第一垂直晶片和所述第二垂直晶片，同一所述独立金属区上的所述第一垂直晶片与所述第二垂直晶片通过与下电极接触的所述独立金属区的上表面连接，两个相邻的所述独立金属区的所述第一垂直晶片和所述第二垂直晶片通过所述金线连接；

所述正极金属区上表面设有所述第一垂直晶片，通过所述金线与相邻的所述独立金属区的所述第二垂直晶片连接；

所述负极金属区上表面设有所述第二垂直晶片，通过所述金线与相邻的所述独立金属区的所述第一垂直晶片连接。

7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括导电粘结层，所述垂直晶片通过所述导电粘结层固定在所述金属区上表面。

8.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括第一封装层和第二封装层，所述第一封装层填充在所述垂直晶片间隙中，所述第一封装层的厚度等于所述垂直晶片的高度，或者低于所述垂直晶片的高度，所述第一封装层不直接与所述金线接触；所述第二封装层覆盖在所述第一封装层、所述垂直晶片及所述金线上方。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，还包括光转换层，所述光转换层铺设在所述垂直晶片、所述金线及所述第一封装层上方，所述第二封装层铺设在所述光转换层上方。