[发明专利]四吋PSS衬底产量的提升方案

说明书

本公开提供了一种四吋PSS衬底产量的提升方案，包括以下步骤：步骤一，黄光PR图形；步骤二，制备九片盘刻蚀工艺载盘；步骤三，检验九片盘刻蚀工艺载盘是否满足工艺的需求指标；步骤四，利用九片盘刻蚀工艺载盘生产四时的PSS衬底。本公开的方法通过增加刻蚀工序每盘工艺片数，在相同数目机台的情况下，增加四时的PSS衬底的产量。

技术领域

本发明涉及刻蚀技术领域，具体涉及一种四吋PSS衬底产量的提升方案。

背景技术

对于LED行业,涉及的工序图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate,PSS)，大家并不陌生。也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石(Al₂O₃)，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。一方面可以有效的减少GaN外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；另一方面有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使PSS上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长。

随着LED领域工艺技术的发展，以及整个LED行业的迅速壮大，对GaN基LED器件PSS衬底的研究也逐渐增多。PSS衬底的产量也是限制经济效益的原因之一，因此，提升PSS衬底的制作效率对提高经济效益至关重要。

发明内容

鉴于背景技术中存在的问题，本公开的目的在于提供一种四吋PSS衬底产量的提升方案，其能提升四吋的PSS衬底的产量。

为了实现上述目的，本公开提供了一种四吋PSS衬底产量的提升方案，包括以下步骤：步骤一，黄光PR图形；步骤二，制备九片盘刻蚀工艺载盘；步骤三，检验九片盘刻蚀工艺载盘是否满足工艺的需求的指标；步骤四，利用九片盘刻蚀工艺载盘生产四吋的PSS衬底。

在步骤一中，所述黄光PR图形为黄光曝光图形。

在一些实施例中，在步骤一中，所述黄光PR图形参数为：上底宽度为1.8um-2.2um；下底宽度1.3um-2.3um；高度在1.6um-3.2um。

在一些实施例中，在步骤二中，所述九片盘刻蚀生产包括ME主刻和OE过刻。

在一些实施例中，所述ME主刻的参数为：背面氦气流量为4Torr-6Torr；工艺时腔体的压强为3mT-7mT；上电极的功率为1000W-2000W；下电极的功率为100W-500W；刻蚀气体BCl₃/Cl₂为50-150sccm/80-120sccm；工艺的时间为1800s-2000s；工艺的温度为15℃-25℃。

在一些实施例中，所述OE过刻的参数为：背面氦气流量为4Torr-6Torr；工艺时腔体的压强为3mT-7mT；上电极的功率为1000W-2000W；下电极的功率为500W-1100W；刻蚀气体BCl₃/Cl₂为50-150sccm/80-120sccm；工艺的时间为1800s-2000s；工艺的温度为15℃-25℃。

在一些实施例中，在步骤三中，检验九片盘刻蚀工艺载盘规格的方法包括SEM测试。

本公开的有益效果如下：

本公开的方法通过刻蚀工序每盘工艺片数的增加，在相同数目机台的情况下，增加四吋的PSS衬底的产量。

附图说明

图1为实施例1制备的九片盘刻蚀工艺载盘和装载四吋晶圆的载盘。

图2为对比例1制备的八片盘刻蚀工艺载盘。