[发明专利]四吋PSS衬底产量的提升方案

权利要求书

1.一种四吋PSS衬底产量的提升方案，包括以下步骤：

步骤一，黄光PR图形；

步骤二，制备九片盘刻蚀工艺载盘；

步骤三，检验九片盘刻蚀工艺载盘是否满足工艺的需求的指标；

步骤四，利用九片盘刻蚀工艺载盘生产四时的PSS衬底。

2.根据权利要求1所述的四吋PSS衬底产量的提升方案，其特征在于，

在步骤一中，所述黄光PR图形参数为：

上底宽度为1.8um-2.2um；

下底宽度1.3um-2.3um；

高度在1.6um-3.2um。

3.根据权利要求1所述的四吋PSS衬底产量的提升方案，其特征在于，

在步骤二中，所述九片盘刻蚀生产包括ME主刻和OE过刻。

4.根据权利要求3所述的四吋PSS衬底产量的提升方案，其特征在于，

所述ME主刻的参数为：

背面氦气流量为4Torr-6Torr；

工艺时腔体的压强为3mT-7mT；

上电极的功率为1000W-2000W；

下电极的功率为100W-500W；

刻蚀气体BCl₃/Cl₂为50-150sccm/80-120sccm；

工艺的时间为1800s-2000s；

工艺的温度为15℃-25℃。

5.根据权利要求3所述的四吋PSS衬底产量的提升方案，其特征在于，

所述OE过刻的参数为：

背面氦气流量为4Torr-6Torr；

工艺时腔体的压强为3mT-7mT；

上电极的功率为1000W-2000W；

下电极的功率为500W-1100W；

刻蚀气体BCl₃/Cl₂为50-150sccm/80-120sccm；

工艺的时间为1800s-2000s；

工艺的温度为15℃-25℃。

6.根据权利要求1所述的四吋PSS衬底产量的提升方案，其特征在于，

在步骤三中，检验九片盘刻蚀工艺载盘规格的方法包括SEM测试。