[发明专利]集成芯片及其制备方法

说明书

本发明公开一种集成芯片及其制备方法，其中，集成芯片包括器件晶圆、体声波谐振器以及谐振电路单元，体声波谐振器设于器件晶圆的一侧表面；谐振电路单元与体声波谐振器并排设于器件晶圆的一侧表面，或者，谐振电路单元设于体声波谐振器背离器件晶圆的一侧；其中，体声波谐振器与谐振电路单元电连接；通过将体声波谐振器和谐振电路单元集成于同一芯片上，以此提升器件的集成度、增加通信带宽、提高系统效率，同时减少芯片面积、降低成本。

技术领域

本发明涉及通信设备技术领域，尤其是一种集成芯片及其制备方法。

背景技术

5G通信带动射频前端市场高速发展。与4G相比，5G手机中射频前端各种器件都会大幅增加。5G网络的部署分为两个阶段，第一阶段为Sub-6GHz,第二阶段为毫米波频段。具体地讲，第一阶段新增四个频段，即n41(频率范围2.496-2.69GHz,带宽196MHz),n77(频率范围3.3-4.2GHz,带宽900MHz),n78(频率范围3.3-3.8GHz,带宽500MHz),n79(频率范围4.4-5.0GHz,带宽600MHz)。5G和未来通信使用的频率将越来越高，以满足移动通信对更大带宽的需求。

发明内容

为了达到5G和未来通信对带宽的要求，现有的滤波器通常会在封装阶段将分立的电感、电容、电组元件贴装在一起形成匹配电路，以达到增加带宽的目的，如此，导致器件面积大、电路损耗大、制造成本高。

本发明的主要目的是提出一种集成芯片及其制备方法，旨在解决现有的适用于高频段的体声波滤波器制作工艺复杂、成本较高的问题。

为实现上述目的，本发明提出一种集成芯片，包括：

器件晶圆；

体声波谐振器，设于所述器件晶圆的一侧表面；以及，

谐振电路单元，与所述体声波谐振器并排设于所述器件晶圆的一侧表面，或者，设于所述体声波谐振器背离所述器件晶圆的一侧；

其中，所述体声波谐振器与所述谐振电路单元电连接。

可选地，在所述器件晶圆的一侧表面形成一具有开口的空腔；

所述体声波谐振器包括：

下电极层，盖设于所述开口，所述下电极层设有信号输出部；

压电层，形成于所述下电极层背离所述器件晶圆的一侧；以及，

上电极层，形成于所述压电层背离所述下电极层的一侧，所述上电极层设有信号输入部；

其中，所述信号输入部或者所述信号输出部与所述谐振电路单元电连接。

可选地，所述器件晶圆的一侧表面具有并排间隔设置的多个布设区；

所述谐振电路单元包括相互电连接的电感、电容以及电阻，所述体声波谐振器、所述电感、所述电容以及所述电阻依次布设在多个所述布设区上；

所述体声波谐振器与所述电感、所述电容以及所述电阻中的至少一个电连接。

可选地，所述集成芯片还包括盖帽晶圆，所述盖帽晶圆架设于所述体声波谐振器背离所述器件晶圆的一侧，以与所述体声波谐振器之间形成上空腔，所述盖帽晶圆在其厚度方向上开设有导电通孔；

其中，所述谐振电路单元设于所述盖帽晶圆背离所述体声波谐振器的一侧，其通过所述导电通孔与所述体声波谐振器电连接。

可选地，所述谐振电路单元包括：

第一介质层，形成于所述盖帽晶圆背离所述体声波谐振器的一侧表面；以及，

元器件组，形成于所述第一介质层，所述元器件组包括并排间隔设置且相互电连接的电感、电容以及电阻；