[发明专利]一种显影液组合物在审

申请号：	202111678801.X	申请日：	2021-12-31
公开（公告）号：	CN114265289A	公开（公告）日：	2022-04-01
发明（设计）人：	马晓明;王健;杨晓松	申请（专利权）人：	苏州润邦半导体材料科技有限公司
主分类号：	G03F7/32	分类号：	G03F7/32
代理公司：	苏州启华专利代理事务所(普通合伙) 32357	代理人：	徐伟华
地址：	215634 江苏省苏州市张家港保税***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种显影液组合
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【说明书】：

本发明公开了一种显影液组合物，所述显影液组合物包括有机胺、表面活性剂及有机溶剂，所述有机胺选自具有式Ⅰ、式Ⅱ或式Ⅲ结构的一种或多种有机胺。本发明的显影液，通过加入特定的有机胺，在确保分辨率的同时还可改善直线边缘的粗糙度及缺陷，扩大光刻工艺的窗口。

技术领域

本发明涉及半导体、封装光刻技术领域，用于曝光后的显影，具体涉及一种显影液组合物。

背景技术

光学曝光过程中，为了将掩模上的图形转移到圆片上，辐照必须作用在光敏物质上，该光敏物质必须通过光照，改变材料性质，使在完成光刻工艺后，达到转移图形的目的。该光敏物质称为光刻胶。

光刻胶分正胶和负胶。正胶：曝光区在显影后溶化，非曝光区留下。负胶：曝光区在显影后留下，非曝光区在显影液中溶解。

目前用于193nm光刻的多数光刻胶是正性胶。然而，随着半导体工艺节点的不断缩小，使用传统的正胶以碱性水溶液显影液来印刷小特征例如小尺寸的沟槽和通孔已经变得更具挑战性，因为用来产生沟槽和通孔的暗场掩模的光学图像对比度差。为此，业界提出了负显影(negat ive tone develop，NTD)的概念，即使用正胶曝光，负显影液(而不是标准的TMAH水溶液)来实现和负胶显影相同的效果。负显影工艺的采用也使得亮掩模在正胶上能实现较窄的沟槽。

目前常用的负胶显影液为NBA溶液和THMA溶液，虽然这两种显影液可以达到良好的分辨率，然而在对LER的改善方面效果不明显，而当粗糙度LER得到改善时则会导致分辨率下降，主要原因是溶解速率过快。为此，如何在确保分辨率的同时改善粗糙度是本领域技术人员致力于解决的事情。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种显影液组合物，在不影响分辨率的情况下可以改善直线边缘粗糙度及缺陷，扩大光刻工艺的窗口。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种显影液组合物，所述显影液组合物包括有机胺、表面活性剂及有机溶剂，所述有机胺选自具有式Ⅰ、式Ⅱ或式Ⅲ结构的一种或多种有机胺，

其中，式Ⅱ中，R1选自-NH₂、-CH₂-NH₂中的任意一种，R2选自-H、-OH、- CH₃中的任意一种，n为大于等于1的整数。

优选地，所述表面活性剂采用了非离子表面活性剂。

作为一种具体的实施方式，所述显影液组合物为由如下各质量百分含量的组分组成：有机胺：0.01-1％、表面活性剂：0.01-1％，余量为有机溶剂。

作为一种具体的实施方式，所述式Ⅱ中的R1为-NH₂，R2为-H。

作为一种具体的实施方式，所述式Ⅱ中的R1为-CH₂-NH₂，R2为-OH或- CH₃。

作为一种具体的实施方式，所述式Ⅱ中的n为1到20的整数。

作为一种具体的实施方式，所述有机溶剂采用了浓度在95％以上的乙酸丁酯

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明的显影液，通过加入特定的有机胺，在保证分辨率的同时还可改善直线边缘的粗糙度LER及缺陷，扩大光刻工艺的窗口。