[发明专利]一种六面包覆的扇出型芯片封装方法和封装结构

权利要求书

1.一种六面包覆的扇出型芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将来料晶圆背面研磨至指定厚度，切割成单颗芯片(1)，取载体圆片(3)并在载体圆片(3)上贴合临时键合膜(2)，使用倒装设备，将芯片(1)倒装在载体圆片(3)上；

步骤二：用塑封材料进行塑封在载体圆片(3)形成塑封层(4)，塑封层(4)填充各芯片(1)之间的间隙，且塑封层(4)覆盖芯片(1)的背面和四周侧面；

载体圆片(3)的正面依次叠有临时键合膜(2)、芯片(1)、塑封层(4)，形成重构晶圆；

步骤三：在塑封层(4)上粘合支撑层；

步骤四：通过解键合将载体圆片(3)和临时键合膜(2)从重构晶圆上脱粘并剥离出来；

步骤五：将步骤四中无载体圆片(3)和临时键合膜(2)的重构晶圆倒置，在重构晶圆的芯片(1)上方涂上光刻胶，用掩膜版进行光刻或激光工艺，开出图形开口，形成再钝化层(6)；再次涂上光阻层，用掩膜版进行光刻或激光工艺，开出金属层图形开口；在金属层图形开口内电镀，形成再布线金属层(7)，并形成金属凸块(9)；

再钝化层(6)覆盖芯片(1)正面和塑封层(4)正面，再布线金属层(7)的一端与压区(11)接触，再布线金属层(7)的另一端与金属凸块(9)连接；

步骤六：用塑封材料进行塑封在芯片(1)正面的再钝化层(6)上形成再保护层(8)；

步骤七：研磨再保护层(8)的表面直至露出金属凸块(9)的端面，研磨完成之后进行单片切割形成若干颗独立封装体。

2.根据权利要求1所述的六面包覆的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述步骤三中，在塑封层(4)上粘合支撑层后，可将支撑层减薄至指定厚度，然后在支撑层上涂覆背胶形成背胶层，支撑层为支撑硅层。

3.根据权利要求1所述的六面包覆的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述步骤一中，在将来料晶圆背面研磨至指定厚度切割成单颗芯片(1)前，通过光刻工艺制作一层增强层(12)；在步骤二中，塑封形成的塑封层(4)可填充增强层(12)的边缘与芯片(1)正面之间的间隙。

4.根据权利要求1所述的六面包覆的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述塑封层(4)和再保护层(8)均选用ABF膜采用层压成型工艺。

5.一种六面包覆的扇出型芯片封装结构，包括芯片(1)，所述芯片(1)正面设有多个压区(11)，其特征在于，所述芯片(1)的背面和四周侧面包覆有塑封层(4)，所述塑封层(4)背面粘合有支撑层，所述芯片(1)正面具有再钝化层(6)、再布线金属层(7)和金属凸块(9)，所述再钝化层(6)覆盖芯片(1)正面和塑封层(4)正面，所述再布线金属层(7)的一端与压区(11)接触，所述再布线金属层(7)的另一端与金属凸块(9)连接，所述再钝化层(6)上设有再保护层(8)，所述金属凸块(9)的端部裸露且与再保护层(8)的正面齐平。

6.根据权利要求5所述的六面包覆的扇出型芯片封装结构，其特征在于，所述芯片(1)正面设置有用于架高芯片的增强层(12)，所述塑封层(4)可填充各芯片(1)之间的空隙，所述增强层(12)的边缘与芯片(1)正面之间被塑封层(4)填充。

7.根据权利要求5或6所述的六面包覆的扇出型芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层(4)选用ABF膜层压成型。

8.根据权利要求7所述的六面包覆的扇出型芯片封装结构，其特征在于，所述支撑层为支撑硅层(5)，所述支撑硅层(5)的厚度可减薄。

9.根据权利要求8所述的六面包覆的扇出型芯片封装结构，其特征在于，所述支撑硅层(5)的背面覆盖有背胶层(51)。

10.根据权利要求9所述的六面包覆的扇出型芯片封装结构，其特征在于，所述再钝化层(6)和再布线金属层(7)为多层设置。