[发明专利]一种曲面板构件损伤检测方法、系统及存储介质

权利要求书

1.一种曲面板构件损伤检测方法，其特征在于，所述方法包括：

确定待处理曲面板，通过位于所述待处理曲面板正面的若干激发阵元输出合成波形，其中，若干所述激发阵元组成多晶片CLT波相控阵阵列，所述合成波形基于若干所述激发阵元分别输出的发射信号生成，若干所述发射信号若分别对应不同的相位；

通过位于所述待处理曲面板背面的若干接收阵元获取若干反射信号，其中，若干所述接收阵元与若干所述激发阵元的设置位置一一对应，若干所述反射信号基于所述合成波形反射得到；

获取所述待处理曲面板对应的标准曲面板模型，其中，所述标准曲面板模型用于反映无损伤的所述待处理曲面板；

通过所述标准曲面板模型获取若干所述接收阵元分别对应的标准反射信号，根据若干所述接收阵元分别对应的所述反射信号和所述标准反射信号确定所述待处理曲面板上的损伤位置信息；

所述通过位于所述待处理曲面板正面的若干激发阵元输出合成波形，包括：

确定若干所述激发阵元分别对应的时间延迟数据，其中，若干所述时间延迟数据互不相同；

将若干所述时间延迟数据分别添加到Hanning窗的五周期正弦信号中，得到若干所述激发阵元分别对应的所述发射信号；

通过若干所述激发阵元分别输出的所述发射信号，得到所述合成波形；

所述确定若干所述激发阵元分别对应的时间延迟数据，包括：

获取所述多晶片CLT波相控阵阵列对应的信号中心频率值，根据所述信号中心频率值和所述待处理曲面板的尺寸信息确定所述待处理曲面板对应的目标频散曲线；

根据所述目标频散曲线确定目标CLT波模态和群速度值；

获取激发阵元总数量、每一所述激发阵元对应的激发阵元坐标数据以及相邻两个所述激发阵元之间的间距值；

根据所述激发阵元总数量、所述间距值、所述群速度值以及每一所述激发阵元坐标数据，确定每一所述激发阵元对应的所述时间延迟数据；

所述根据所述激发阵元总数量、所述间距值、所述群速度值以及每一所述激发阵元坐标数据，确定每一所述激发阵元对应的所述时间延迟数据，包括：

根据所述激发阵元总数量和所述间距值确定聚焦点坐标数据；

根据每一所述激发阵元坐标数据确定相控阵中心坐标数据；

根据所述聚焦点坐标数据和所述相控阵中心坐标数据，确定焦距值；

根据所述焦距值、所述群速度值以及每一所述激发阵元坐标数据，确定每一所述激发阵元对应的所述时间延迟数据；

根据所述聚焦点坐标数据和所述相控阵中心坐标数据，确定焦距值，包括：

建立柱面坐标系，根据所述柱面坐标系确定聚焦点P坐标为(R,θ,z)；

当n为奇数时，所述焦距值R_f的计算公式为：

当n为偶数时，所述焦距值R_f的计算公式为：

其中，n为阵元个数，d为两个阵元之间的距离,L为曲面板的弧长，R为曲面板的外径。

2.根据权利要求1所述的曲面板构件损伤检测方法，其特征在于，所述根据所述信号中心频率值和所述待处理曲面板的尺寸信息确定所述待处理曲面板对应的目标频散曲线，包括：

根据所述待处理曲面板的尺寸信息，确定曲面板半径厚度比值和曲面板厚度值；

根据所述信号中心频率值和所述曲面板厚度值确定频厚积数据；

根据所述曲面板半径厚度比值和所述频厚积数据确定目标频散曲线。

3.根据权利要求1所述的曲面板构件损伤检测方法，其特征在于，所述获取所述待处理曲面板对应的标准曲面板模型，包括：

获取所述待处理曲面板的尺寸信息和材料属性信息；

根据所述待处理曲面板的尺寸信息和所述材料属性信息，生成曲面板模型；

根据若干所述激发阵元的设置位置在所述曲面板模型的正面设置若干模拟激发阵元；

根据若干所述接收阵元的设置位置在所述曲面板模型的背面设置若干模拟接收阵元。