[发明专利]一种太阳能电池的激光掺杂图形结构及其加工方法在审

专利信息
申请号: 202111669220.X 申请日: 2021-12-30
公开(公告)号: CN114335199A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 王晓蕾;贾静;顾浩;周家将;丁峰;霍佳徐 申请(专利权)人: 苏州腾晖光伏技术有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 代理人: 杨敏
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 激光 掺杂 图形 结构 及其 加工 方法
【说明书】:

发明涉及了一种太阳能电池的激光掺杂图形结构及其加工方法,所述太阳能电池包括丝网印刷正银电极,所述丝网印刷正银电极包括主栅线、副栅线;所述太阳能电池的激光掺杂图形结构设于所述丝网印刷正银电极上,其包括:主栅线图层,其包括若干条平行设置的主栅线掺杂带;副栅线图层,其位于所述主栅线图层远离激光加工台面的一侧;所述副栅线图层包括若干条平行设置的副栅线掺杂带,所述副栅线掺杂带、所述主栅线掺杂带两者相互垂直。通过上述设置,可解决目前太阳能电池中激光掺杂区域有限导致电池性能不够好的问题。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池的激光掺杂图形结构及其加工方法。

背景技术

太阳能电池行业飞速发展,在太阳能电池的众多参数中,发射极是最能影响转换效率的参数之一。

提高方块电阻可提高开路电压和短路电流,但是会使电池正面表面掺杂浓度下降。丝网印刷正银电极后,正银与低表面浓度发射极的接触电阻较大,导致填充因子下降,最终导致转换效率降低。

为了在提高开路电压和短路电流的同时兼顾填充因子,选择性发射极(SE,Selective Emitter)电池是比较理想的选择,即:对电极接触部位进行重掺杂、在电极之间位置进行轻掺杂。

电池片正面栅线分为主栅线和副栅线,主栅线粗而稀疏、且副栅线细而密集。

现有技术中,目前的激光掺杂(如激光PSG掺杂等)仅考虑到副栅线处激光掺杂带来的电性能增益,使得太阳能电池性能不够好。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明的目的在于提供一种太阳能电池的激光掺杂图形结构及其加工方法,所述太阳能电池的激光掺杂图形结构用来解决目前太阳能电池中激光掺杂区域有限导致电池性能不够好的问题。

为了实现上述发明目的之一,本发明一实施方式提供一种太阳能电池的激光掺杂图形结构,所述太阳能电池包括丝网印刷正银电极,所述丝网印刷正银电极包括主栅线、副栅线;所述激光掺杂图形结构设于所述丝网印刷正银电极上,其包括:

主栅线图层,其包括若干条平行设置的主栅线掺杂带;

副栅线图层,其位于所述主栅线图层远离激光加工台面的一侧;所述副栅线图层包括若干条平行设置的副栅线掺杂带,所述副栅线掺杂带、所述主栅线掺杂带两者相互垂直。

作为本发明一实施方式的进一步改进,所述主栅线图层包括第一主栅线图层、第二主栅线图层,两者关于中间镂空图层对称排布。

作为本发明一实施方式的进一步改进,所述主栅线掺杂带包括外侧主栅线掺杂带、内侧主栅线掺杂带,所述外侧主栅线掺杂带的长度小于所述内侧主栅线掺杂带的长度,用于协助定位相机进行定位判断。

作为本发明一实施方式的进一步改进,所述副栅线掺杂带包括若干条外侧副栅线掺杂带、若干条内侧副栅线掺杂带,所述外侧副栅线掺杂带的长度小于所述内侧副栅线掺杂带的长度,且所有外侧副栅线掺杂带的长度依次递减。

作为本发明一实施方式的进一步改进,所述激光掺杂图形结构还包括定位点图层,其设于所述主栅线图层靠近所述激光加工台面的一侧。

作为本发明一实施方式的进一步改进,所述主栅线掺杂带的数量、栅线间距均与丝网印刷网版图形结构相匹配。

作为本发明一实施方式的进一步改进,所述副栅线掺杂带的数量、栅线间距均与所述丝网印刷网版图形结构相匹配。

本发明一实施方式还提供一种激光掺杂图形结构的加工方法,用于加工如上任一项所述的太阳能电池的激光掺杂图形结构,所述方法具体包括:

步骤X:对所述丝网印刷正银电极上的主栅线区域进行激光掺杂,形成所述主栅线图层;其中,所述主栅线图层包括若干条平行设置的主栅线掺杂带;

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