[发明专利]一种砷化镓晶圆水平法切割装置

说明书

本发明公开了砷化镓生产加工技术领域的一种砷化镓晶圆水平法切割装置，包括工作台与驱动电机，所述工作台表面开设有放置砷化镓晶柱的凹槽，所述凹槽的底部为弧形，所述凹槽的底部滑动连接有驱动推杆；本发明在工作前，通过砷化镓晶柱厚度的不同来间接调节打磨辊右端的位置，从而来调节打磨辊所能打磨的最大圆直径，有利于根据砷化镓晶柱厚度的不同来确定打磨的最大圆柱的晶柱，从而减少多余的打磨，避免浪费；连接球与其上的十字环形槽可以满足打磨辊与转动齿轮转动轴之间的角度调节，有利于在打磨辊的右端进行抬起时，转动齿轮依然能对打磨辊提供稳定的驱动力，避免卡死或驱动力不稳定。

技术领域

本发明涉及砷化镓生产加工技术领域，具体为一种砷化镓晶圆水平法切割装置。

背景技术

砷化镓是一种重要的半导体材料，砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等；在利用水平法进行制造砷化镓时，制成的砷化镓晶柱截面为独特的“D”形，在对晶柱进行切割前需要将晶柱进行打磨成圆形。

现有技术在对水平法制成的砷化镓晶柱进行打磨时，一般是直接对砷化镓晶柱进行统一的打磨，然而水平法制成的晶柱的厚度并不相同，进行统一的打磨会使较厚的晶柱打磨的较多，造成浪费，不能打磨出晶柱截面所能打磨出的最大圆，而较薄的晶柱部分不能被完全打磨，导致晶柱不能被打磨成完全的圆形，需要进行二次打磨。

基于此，本发明设计了一种砷化镓晶圆水平法切割装置，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种砷化镓晶圆水平法切割装置，以解决上述背景技术中提出了现有技术在对水平法制成的砷化镓晶柱进行打磨时，一般是直接对砷化镓晶柱进行统一的打磨，然而水平法制成的晶柱的厚度并不相同，进行统一的打磨会使较厚的晶柱打磨的较多，造成浪费，不能打磨出晶柱截面所能打磨出的最大圆，而较薄的晶柱部分不能被完全打磨，导致晶柱不能被打磨成完全的圆形，需要进行二次打磨的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种砷化镓晶圆水平法切割装置，包括工作台与驱动电机，所述工作台表面开设有放置砷化镓晶柱的凹槽，所述凹槽的底部为弧形，所述凹槽的底部滑动连接有驱动推杆，所述驱动推杆左端有部分凸起并且其左端位于砷化镓晶柱的左侧，所述凹槽的上方设有压盖，所述压盖可以将砷化镓的上端盖住，所述压盖的上端右侧固定连接有顶动块，所述顶动块的右侧为斜面，所述工作台表面对应压盖的两侧位置均固定连接有限位板，所述工作台的右侧底部固定连接有辅助台，所述辅助台上端上下滑动连接有支撑架，所述支撑架的上端固定连接有打磨筒，所述打磨筒的左端固定连接有内齿环，所述内齿环右侧转动连接有外齿环，所述驱动电机固定连接在内齿环的左侧，所述驱动电机转动轴贯穿内齿环后固定连接有驱动齿轮，所述驱动齿轮与外齿环啮合，所述外齿环表面转动连接有三个等距排列的转动齿轮，三个所述转动齿轮均与内齿环啮合并且三个所述转动齿轮转动轴贯穿外齿环，三个所述转动齿轮转动轴右端均设有球铰链机构，三个所述转动齿轮转动轴均通过球铰链机构连接有打磨辊，所述打磨辊斜向布置并且其底部为圆弧形，所述打磨辊的尾端固定连接有轴承，所述轴承表面固定连接有可伸缩的弧形拉板，所述弧形拉板的顶部贯穿打磨筒，所述打磨筒对应弧形拉板位置开设有通槽，所述通槽将打磨筒分为两部分，所述打磨筒的表面对应通槽位置套接有推动环，所述弧形拉板的顶部滑动在推动环的内壁上，所述弧形拉板的中间位置固定连接有拉动绳，所述拉动绳的另一端与推动环的内壁固定连接，所述打磨筒上端对应顶动块位置滑动连接有推动杆，所述推动杆左端为斜面并且其右端与推动环接触，所述打磨筒的内壁右侧设有限定机构，所述限定机构用来限定打磨后的砷化镓晶柱符合晶柱的最大圆；

所述球铰链机构包括连接球，所述连接球表面开设有十字环形槽，所述转动齿轮转动轴右端与所述打磨辊左端均滑动在十字环形槽内；