[发明专利]一种NAND闪存结构及其制作方法

权利要求书

1.一种NAND闪存结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有多个字线、多个源极选择栅极和多个漏极选择栅极，多个所述字线位于多个所述源极选择栅极和多个所述漏极选择栅极之间，每个字线、源极选择栅极和漏极选择栅极的宽度相同。

2.如权利要求1所述的NAND闪存结构，其特征在于，所述源极选择栅极和漏极选择栅极均由第一导电层和第二导电层组成。

3.如权利要求1所述的NAND闪存结构，其特征在于，所述字线包括第一导电层、介质层和第二导电层，所述介质层位于所述第一导电层和第二导电层之间。

4.如权利要求1所述的NAND闪存结构，其特征在于，所述字线的数量大于所述源极选择栅极的数量或者漏极选择栅极的数量。

5.一种NAND闪存结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上包括源区、漏区和字线区，所述字线区位于所述源区和所述漏区之间，所述源区用于定义源极选择栅极的位置，所述漏区用于定义漏极选择栅极的位置，所述字线区用于定义字线的位置；

在所述衬底上形成第一导电材料层，所述第一导电材料层覆盖所述源区、漏区和字线区的衬底；

形成介质层，所述介质层覆盖所述第一导电材料层；

去除所述源区和漏区上的介质层，并保留所述字线区的介质层；

形成第二导电材料层，所述第二导电材料层覆盖所述字线区的介质层、所述源区的第一导电材料层和所述漏区的第一导电材料层；

刻蚀所述源区和所述漏区的部分第一导电材料层和部分第二导电材料层以及所述字线区的部分第一导电材料层、部分介电层和部分第二导电材料层，暴露出衬底，以形成宽度相同的多个源极选择栅极、多个漏极选择栅极和多个字线。

6.如权利要求5所述的NAND闪存结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电材料层和所述第二导电材料层均为多晶硅。

7.如权利要求5所述的NAND闪存结构的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述源区和漏区上的介质层，并保留所述字线区的介质层。

8.如权利要求5所述的NAND闪存结构的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述源区和所述漏区的部分第一导电材料层和部分第二导电材料层以及所述字线区的部分第一导电材料层、部分介电层和部分第二导电材料层。

9.如权利要求5所述的NAND闪存结构的制作方法，其特征在于，所述介质层为ONO结构。

10.如权利要求5所述的NAND闪存结构的制作方法，其特征在于，在形成第一导电材料层之前，在所述衬底上形成栅氧化层。