[发明专利]一种薄膜改性装置和用于工业连续化处理改性系统有效
| 申请号: | 202111653723.8 | 申请日: | 2021-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN114274497B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
| 发明(设计)人: | 祝曦;李劲卓;许金钢;方志 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
| 主分类号: | B29C59/10 | 分类号: | B29C59/10;B29L7/00 |
| 代理公司: | 南京源古知识产权代理事务所(普通合伙) 32300 | 代理人: | 马晓辉 |
| 地址: | 211816 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜 改性 装置 用于 工业 连续 处理 系统 | ||
本发明提供了一种薄膜改性装置和工业连续化处理改性系统,放电处理单元和气体循环单元位于外壳内,外壳下方开口,气体循环单元包括第一气体单元和第二气体单元,第二气体单元包括多个凸形单元组,每个气道组包括对称布置的两个凸形单元,两个凸形之间设有第二空隙,第一气体单元包括多个L形气道,每个L形式气道和一个凸形单元连接,相邻的L形气道之间设有第一空隙,凸形单元为电极,中心辊轮表面上由内到外依次敷设地电极和第二阻挡介质层。本发明的实现了大气压环境下的大面积均匀改性,避免了真空与密封设备的使用,减少了使用过程中的损耗,放电处理单元可同时对薄膜两面提供不同的处理效果,大大增加了薄膜的应用可能性。
技术领域
本发明属于薄膜改性领域,涉及一种薄膜改性装置和用于工业连续化处理改性系统。
背景技术
薄膜材料长期应用于工业农业,近年来随着技术要求的提升,对薄膜性能的多元化、高质量要求随之提升。光学用薄膜要求其拥有优异的透光性,电气用薄膜要求其拥有良好的绝缘性,建材用薄膜要求其拥有优良防水性。为达到工程技术应用需求,在薄膜加工成型后的后处理技术十分重要。
目前用于薄膜性能提升的处理技术主要分为两类,化学涂敷处理与物理放电处理。化学处理是利用药剂作用薄膜表面,与薄膜集团发生反应,或直接喷涂于薄膜表面形成均匀涂层,改善薄膜表面性能。化学涂敷处理的缺点在于其药剂配比复杂多变,处理准备时间较长,工艺环节多,造成了生产效率的限制。物理放电处理则是利用电晕放电等离子体处理非极性薄膜表面,起到断裂化学键、提高表面能、增加表面粗糙度的作用。传统的物理放电处理存在处理效果单一的缺点,而近年来由于技术突破,改缺点有所弥补,物理处理方法的优势得到体现,在改性时添加各种前驱物可以在薄膜表面沉积特定官能团,达到特定的改性效果。但目前物理放电的相关技术仍存在一定问题,主要有依赖真空环境、需要低压设备、若在大气压下处理则处理效率低等缺点。
专利CN 210956594 U开发出一种薄膜真空等离子体处理设备,可以在多级抽真空环境下对薄膜进行处理,可以实现密封环境下的大面积薄膜材料处理。真空环境下的等离子体处理设备对设备条件要求高,需求真空设备及低压密封环境,设备及维护成本高。
专利CN110144560 B提出一种等离子体与磁控溅射复合的处理方法,并开发出相应设备,延长了等离子体的驻留时间,提高了等离子体处理设备的效率,可以改善薄膜材料与基材的亲和力。但磁控溅射与等离子体结合的方法依然要求真空环境的处理。
专利CN 205202155 U开发出一种电晕时效二合一薄膜处理机,可以在常温常压下对薄膜连续处理,能够有效提高薄膜粘结性能。电晕处理设备通过电击提升薄膜表面粗糙度,仅用于提升薄膜粘附力,处理效果单一。
专利CN 104556735 B开发出一种可对高分子材料表面改性的大气压沿面放电等离子体装置,可以在常压下产生较大面积低温等离子体,改善材料表面的亲水性。此装置表面放电发热严重,能量利用率很低,且该技术仅可用于表面亲水性的提高。
专利CN 110035594 B 提出了一种基于介质阻挡放电的等离子体材料改性装置及方法,能够根据改性需求匹配放电气体,有目的地引入特定基团,实现均匀、连续化处理。虽然可以实现等离子体的一维处理,处理效率较低,该装置处理环境暴露在空气中,对气体的利用率低,消耗大量稀有气体及媒质。
发明内容
1.所要解决的技术问题:
现有薄膜处理,物理放电处理物理放电处理技术需求低压真空环境其不能够连续化处理,能够连续化处理的仅提升薄膜表面粗糙度,仅用于提升薄膜粘附力,处理效果单一
2.技术方案:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京工业大学,未经南京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111653723.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





