[发明专利]一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质

说明书

本发明实施例公开了一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质；所述检测方法包括：基于采集的待测晶圆的图像，按照设定的条件将所述图像划分为多个检测区域；其中，所述采集到的待测晶圆的图像上包含有用于表征铜离子的白点；基于每个所述检测区域中的铜离子个数，判断每个所述检测区域对应的缺陷区域类型；根据每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质。

背景技术

目前，通常使用浮区法(Floating zone，FT)或切克劳斯基法(Czochralski,CZ)制造晶圆，而其中CZ法是最广泛地应用于制造晶圆的方法。在CZ法中，将多晶硅原料置于石英坩埚中，由石墨加热器将多晶硅原料加热并熔融，且将籽晶浸浅在熔融态硅中，通过在旋转经浸没籽晶的同时、将籽晶向上拉伸以使得单晶硅棒生长。经生长的单晶硅棒切割、研磨并且抛光成晶圆。单晶硅棒或晶圆可能具有晶格缺陷，诸如，晶体原生颗粒(CrystalOriginated Particle，COP)缺陷、流动图案缺陷(Flow Pattern Defect，FPD)和氧诱发叠层缺陷(Oxygen induced Stacking Fault，OiSF)，这些称为生长缺陷，在实际制备过程中需要减少生长缺陷的浓度以及尺寸。由于晶格缺陷会影响单晶硅棒或晶圆的质量和生产率，因此，快速地评价晶格缺陷以去除晶体缺陷是非常重要的。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质；能够解决因铜离子离散分布而造成的边界误差范围大，连续测量结果不稳定的问题。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种晶圆缺陷的检测方法，所述检测方法包括：

基于采集的待测晶圆的图像，按照设定的条件将所述图像划分为多个检测区域；其中，所述采集到的待测晶圆的图像上包含有用于表征铜离子的白点；

基于每个所述检测区域中的铜离子个数，判断每个所述检测区域对应的缺陷区域类型；

根据每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态。

第二方面，本发明实施例提供了一种晶圆缺陷的检测装置，所述检测装置包括划分部分、判断部分和确定部分；其中，

所述划分部分，经配置为基于采集的待测晶圆的图像，按照设定的条件将所述图像划分为多个检测区域；其中，所述采集到的待测晶圆的图像上包含有用于表征铜离子的白点；

所述判断部分，经配置为基于每个所述检测区域中的铜离子个数，判断每个所述检测区域对应的缺陷区域类型；

所述确定部分，经配置为根据每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态。

第三方面，本发明实施例提供了一种晶圆缺陷的检测设备，所述检测设备包括：光源发生器、线阵相机、存储器及处理器；其中，

所述线阵相机，用于采集待测晶圆图像；其中，所述采集到的待测晶圆的图像上包含有用于表征铜离子的白点；

所述存储器，用于存储能够在所述处理器运行的计算机程序；

所述处理器，用于在运行所述计算机程序时，执行以下步骤：

基于采集的待测晶圆的图像，按照设定的条件将所述图像划分为多个检测区域；其中，所述采集到的待测晶圆的图像上包含有用于表征铜离子的白点；

基于每个所述检测区域中的铜离子个数，判断每个所述检测区域对应的缺陷区域类型；