[发明专利]一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质

权利要求书

1.一种晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：

基于采集的待测晶圆的图像，按照设定的条件将所述图像划分为多个检测区域；其中，所述采集到的待测晶圆的图像上包含有用于表征铜离子的白点；

基于每个所述检测区域中的铜离子个数，判断每个所述检测区域对应的缺陷区域类型；

根据每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述基于采集的待测晶圆的图像，按照设定的条件将所述图像划分为多个检测区域，包括：

基于所述采集到的待测晶圆的图像，将所述待测晶圆表面划分为一个圆形待测区域和n个圆环待测区域，其中，所述圆形待测区域与所述圆环待测区域共圆心，所述圆心为所述待测晶圆的像素圆心。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述基于采集的待测晶圆表面铜离子分布的图像，将所述待测晶圆表面划分为一个圆形待测区域和n个圆环待测区域，包括：

基于所述采集到的待测晶圆的图像，获取所述待测晶圆的像素圆心和所述待测晶圆的第一像素半径R；

基于所述待测晶圆的像素圆心及设定的第二像素半径r₁，确定第一同心圆；其中，r₁R；其中，所述第一同心圆表征所述圆形待测区域；

基于所述待测晶圆的像素圆心及第三像素半径r_m，确定第二同心圆；其中，

r_m＝r₁+m×Δr，r_m≤R

其中，Δr表示像素半径增长量；

m表示第m个所述圆环待测区域，且1≤m≤n；

n表示所述圆环待测区域的个数；

基于相邻的所述第一同心圆和所述第二同心圆以及任一相邻的两个所述第二同心圆，获得n个所述圆环待测区域。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述基于每个所述检测区域中的铜离子个数，判断每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，包括：

获取每个所述检测区域中的铜离子个数；

当所述铜离子个数小于设定的数量时，确定对应的所述检测区域的缺陷区域类型为P_v区域；

当所述铜离子个数大于设定的数量时，确定对应的所述检测区域的缺陷区域类型为P_I区域。

5.根据权利要求要求4所述的检测方法，其特征在于，所述基于每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态，包括：

基于每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，获取不同的所述缺陷区域对应的所述检测区域中圆环待测区域的环距；其中，

所述圆环待测区域的环距用于表征所述待测晶圆表面的缺陷分布状态。

6.根据权利要求要求5所述的检测方法，其特征在于，所述基于每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，获取不同的所述缺陷区域对应的所述检测区域中圆环待测区域的环距，包括：

基于每个所述圆环待测区域对应的缺陷区域类型，获取所述P_v区域对应的所述圆环待测区域的环距D₁＝k₁×Δr；其中，k₁表示相邻所述圆环待测区域为P_v区域时像素半径增长量Δr的个数；

基于每个所述圆环待测区域对应的缺陷区域类型，获取所述P_I区域对应的所述圆环待测区域的环距D₂＝k₂×Δr；其中，k₂表示相邻所述圆环待测区域为P_I区域时像素半径增长量Δr的个数。