[发明专利]存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

第一半导体结构，所述第一半导体结构包括堆叠结构及沟道结构，所述沟道结构贯穿所述堆叠结构；

第二半导体结构，所述第二半导体结构与所述第一半导体结构层叠设置；

晶态半导体层，所述晶态半导体层位于所述第一半导体结构中远离所述第二半导体结构的一侧，所述晶态半导体层覆盖所述堆叠结构及所述沟道结构，所述晶态半导体层中掺杂有掺杂原子，所述掺杂原子用于减小所述晶态半导体层的晶粒大小。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述晶态半导体层中晶粒的粒径范围为20nm～180nm。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述掺杂原子为碳原子。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述晶态半导体层的材料包括多晶硅和碳化硅。

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述晶态半导体层中还掺杂有磷原子。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述沟道结构包括依次层叠设置的阻挡介质层、电荷捕获层、隧穿介质层和沟道层；所述沟道结构延伸出所述堆叠结构的部分中的沟道层与所述晶态半导体层接触。

7.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构层叠设置，所述第一半导体结构包括堆叠结构及沟道结构，所述沟道结构贯穿所述堆叠结构；

形成半导体层，所述半导体层位于所述第一半导体结构中远离所述第二半导体结构的一侧，所述半导体层覆盖所述堆叠结构及所述沟道结构；

对所述半导体层进行第一掺杂处理，在所述半导体层中形成第一掺杂原子；

对进行第一掺杂处理后的半导体层进行退火处理，以使所述半导体层由非晶态变为晶态，得到晶态半导体层；其中，所述第一掺杂原子在所述退火的过程中能够减小所述晶态半导体层的晶粒大小。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述对所述半导体层进行第一掺杂处理，包括：

对所述半导体层进行碳掺杂处理。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层的材料包括硅；所述对进行第一掺杂处理后的半导体层进行退火处理，包括：

对进行第一掺杂处理后的半导体层进行激光退火处理，以使所述半导体层由非晶硅变为多晶硅，并在所述半导体层中形成碳化硅，得到晶态半导体层。

10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述在所述堆叠结构及所述沟道结构上形成半导体层，包括：

在所述堆叠结构及所述沟道结构上沉积半导体材料层；

对所述半导体材料层进行第二掺杂处理；

对进行第二掺杂处理后的半导体材料层进行平坦化处理，得到所述半导体层。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述对所述半导体材料层进行第二掺杂处理，包括：

所述对所述半导体材料层进行磷掺杂处理。