[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底和多个栅极结构，所述基底包括多个间隔设置的有源区，所述多个栅极结构一一对应地位于多个有源区上；

在相邻栅极结构之间形成具有空隙的间隔层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述间隔层包括第一介质层和第二介质层；

所述在相邻栅极结构之间形成具有空隙的间隔层的步骤，包括：

在所述相邻栅极结构之间形成牺牲层，所述牺牲层的高度小于所述栅极结构的高度，所述牺牲层与所述第一介质层的材料不同；

在所述相邻栅极结构之间形成具有开口的第一介质层，且所述第一介质层位于所述牺牲层上；

通过所述开口去除所述牺牲层，以在所述相邻栅极结构之间形成与所述开口相连通的牺牲间隙；

通过所述开口在所述牺牲间隙中形成具有所述空隙的所述第二介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述相邻栅极结构之间形成牺牲层的步骤，包括：

在所述栅极结构上形成初始牺牲层，所述初始牺牲层还填充在所述相邻栅极结构之间；

对所述初始牺牲层进行刻蚀，以去除所述栅极结构背离所述基底一侧的部分初始牺牲层以及所述相邻栅极结构之间的部分初始牺牲层，得到所述牺牲层。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述相邻栅极结构之间形成具有开口的第一介质层的步骤，包括：

在所述栅极结构上形成初始介质层，所述初始介质层覆盖所述牺牲层；

对所述初始介质层进行刻蚀，以去除所述栅极结构背离所述基底一侧的部分初始介质层，并在所述相邻栅极结构之间的初始介质层中形成所述开口，得到所述第一介质层。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述通过所述开口在所述牺牲间隙中形成具有所述空隙的所述第二介质层的步骤，包括：

在所述栅极结构上形成所述第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层，并通过所述开口延伸至所述牺牲间隙中，使所述第二介质层在所述牺牲间隙中具有所述空隙。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在相邻栅极结构之间形成具有空隙的间隔层的步骤之前，还包括：

对所述栅极结构的表面进行氧化，以在所述栅极结构的表面形成保护层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述有源区为鳍式有源区，所述栅极结构位于所述鳍式有源区上并沿所述鳍式有源区的侧壁延伸。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底，包括多个间隔设置的有源区；

多个栅极结构，所述多个栅极结构一一对应地位于多个有源区上；

间隔层，至少位于相邻栅极结构之间，且位于所述相邻栅极结构之间的间隔层中具有空隙。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述空隙在第一方向上的长度位于所述栅极结构在所述第一方向上的长度的20％至80％之间，所述空隙在第二方向上的长度位于所述相邻栅极结构的间距的30％至80％之间，所述空隙在第三方向上的长度位于所述栅极结构在所述第三方向上的长度的70％至100％之间；所述第一方向为垂直于所述基底上表面的方向，所述第二方向为所述相邻栅极结构的排列方向，所述第三方向分别与所述第一方向、所述第二方向相垂直。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述间隔层包括具有所述空隙的第二介质层，以及位于所述第二介质层上的第一介质层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第二介质层还贯穿所述第一介质层并覆盖所述栅极结构和所述第一介质层。