[发明专利]内连线结构的制造方法

权利要求书

1.一种内连线结构的制造方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多个牺牲层；

在相邻两个所述牺牲层之间形成介电层，其中在所述介电层中具有气隙；

移除多个所述牺牲层，而形成多个第一开口；以及

在所述第一开口中形成导电层。

2.如权利要求1所述的内连线结构的制造方法，其中所述牺牲层的形成方法包括：

在所述基底上形成牺牲材料层；

在所述牺牲材料层上形成硬掩模材料层；以及

对所述硬掩模材料层与所述牺牲材料层进行图案化，而形成多个硬掩模层与多个所述牺牲层，且在相邻两个所述硬掩模层之间以及相邻两个所述牺牲层之间形成第二开口。

3.如权利要求2所述的内连线结构的制造方法，还包括：

对所述牺牲层进行各向同性蚀刻制作工艺，以加宽位于相邻两个所述牺牲层之间的所述第二开口的宽度。

4.如权利要求3所述的内连线结构的制造方法，其中位于相邻两个所述牺牲层之间的所述第二开口的宽度大于位于相邻两个所述硬掩模层之间的所述第二开口的宽度。

5.如权利要求2所述的内连线结构的制造方法，其中所述介电层的形成方法包括：

在所述第二开口中形成介电材料层，其中在所述介电材料层中具有所述气隙，且所述气隙位于相邻两个所述牺牲层之间；以及

利用所述牺牲层作为终止层，移除部分所述介电材料层与所述硬掩模层，而形成所述介电层。

6.如权利要求1所述的内连线结构的制造方法，其中所述导电层的材料形成方法包括铜。

7.如权利要求1所述的内连线结构的制造方法，还包括：

在形成所述牺牲层之前，在所述基底上形成终止层，其中所述介电层形成在所述终止层上；

共形地在所述介电层与所述终止层上形成间隙壁材料层；以及

对所述间隙壁材料层进行回蚀刻制作工艺，而在所述介电层的侧壁上形成间隙壁，其中所述回蚀刻制作工艺移除由所述间隙壁所暴露出的部分所述终止层，而暴露出部分所述基底。

8.如权利要求1所述的内连线结构的制造方法，还包括：

在所述第一开口中形成阻障层，其中所述阻障层位于所述导电层与所述介电层之间以及所述导电层与所述基底之间。

9.如权利要求8所述的内连线结构的制造方法，其中所述导电层与所述阻障层的形成方法包括：

共形地在所述第一开口中形成阻障材料层；

在所述阻障材料层上形成填入所述第一开口的导电材料层；以及

移除位于所述第一开口的外部的所述导电材料层与所述阻障材料层，而形成所述导电层与所述阻障层。

10.如权利要求9所述的内连线结构的制造方法，其中位于所述第一开口的外部的所述导电材料层与所述阻障材料层的移除方法包括化学机械研磨法。