[发明专利]控制半导体存储器装置的控制器及操作该控制器的方法

说明书

本技术包括一种操作控制器的方法，该控制器能够控制半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括多个存储器单元。操作控制器的方法包括：感测从半导体存储器装置读取的数据的错误校正失败；生成用于重新读取数据的新读取电压；确定新读取电压是否属于允许范围，该允许范围取决于对先前读取的数据的错误校正成功所依据的先前读取电压的读取电压统计值；并且基于确定新读取电压是否属于允许范围的结果，确定将在重新读取数据的下一次读取操作中使用的读取电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年5月26日提交的申请号为10-2021-0067935的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种电子装置，并且更具体地涉及一种用于控制半导体存储器装置的控制器以及操作该控制器的方法。

背景技术

半导体存储器装置可以以二维结构或者三维结构来形成，在二维结构中，串被水平地布置在半导体衬底上，在三维结构中，串被竖直地堆叠在半导体衬底上。三维半导体存储器装置是为了解决二维半导体存储器装置的集成度的限制而设计的存储器装置，并且可以包括竖直堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元。控制器可以控制半导体存储器装置的操作。

发明内容

本公开的实施例提供了一种能够提高读取性能的控制器及其操作方法。

根据本公开的实施例，一种包括多个存储器单元的半导体存储器装置可以通过操作控制器的方法来控制。操作存储器的方法包括：感测从半导体存储器装置读取的数据的错误校正失败；生成用于重新读取数据的新读取电压；确定新读取电压是否属于允许范围，该允许范围取决于对先前读取的数据的错误校正成功所依据的先前读取电压的读取电压统计值；并且基于确定新读取电压是否属于允许范围的结果，确定将在重新读取数据的下一次读取操作中使用的读取电压。

在本公开的实施例中，读取电压统计值可以包括先前读取电压的平均值和方差。确定新读取电压是否属于允许范围可以包括：根据方差计算标准差；并且确定新读取电压是否属于“AVG-k·σ”与AVG+k·σ”之间的区间，其中“AVG”可以是平均值，“σ”可以是标准差，“k”可以是预定正数。

在本公开的实施例中，确定读取电压可以包括：当确定新读取电压属于该区间时，将新读取电压确定为将在下一次读取操作中使用的读取电压。

在本公开的实施例中，该方法可以进一步包括：控制半导体存储器装置使用新读取电压执行下一次读取操作，并且接收通过下一次读取操作从半导体存储器装置重新读取的数据。

在本公开的实施例中，该方法可以进一步包括：当对重新读取的数据的错误校正成功时，基于新读取电压更新读取电压统计值。

在本公开的实施例中，更新读取电压统计值可以包括：基于先前读取电压的平均值、先前读取电压的数量和新读取电压生成新平均值；并且基于先前读取电压的平均值、先前读取电压的方差、新读取电压、先前读取电压的数量以及新平均值生成新方差。

在本公开的实施例中，可以使用以下公式来生成新平均值。

这里，“AVG_NEW”可以是新平均值，“N”可以是先前读取电压的数量，并且“VR_NEW”可以是新读取电压。

在本公开的实施例中，可以使用以下公式来生成新方差。

这里，“VAR_NEW”可以是新方差，并且“VAR”可以是方差。

在本公开的实施例中，该方法可以进一步包括：当对重新读取的数据的错误校正失败时，生成用于重新读取与错误校正失败相关的数据的新读取电压。