[发明专利]控制半导体存储器装置的控制器及操作该控制器的方法

权利要求书

1.一种操作控制器的方法，所述控制器用于控制半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括多个存储器单元，所述方法包括：

感测从所述半导体存储器装置读取的数据的错误校正失败；

生成用于重新读取所述数据的新读取电压；

确定所述新读取电压是否属于允许范围，所述允许范围取决于对先前读取的数据的错误校正成功所依据的先前读取电压的读取电压统计值；并且

基于确定所述新读取电压是否属于所述允许范围的结果，确定将在重新读取所述数据的下一次读取操作中使用的读取电压。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述读取电压统计值包括所述先前读取电压的平均值和方差，并且

其中确定所述新读取电压是否属于所述允许范围包括：

根据所述方差计算标准差；并且

确定所述新读取电压是否属于值“AVG-k·σ”与“AVG+k·σ”之间的区间，其中“AVG”是所述平均值，“σ”是所述标准差，并且“k”是预定正数。

3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述读取电压包括：当确定所述新读取电压属于所述区间时，将所述新读取电压确定为将在所述下一次读取操作中使用的读取电压。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

控制所述半导体存储器装置使用所述新读取电压执行所述下一次读取操作；并且

接收通过所述下一次读取操作从所述半导体存储器装置重新读取的数据。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：当对所述重新读取的数据的错误校正成功时，基于所述新读取电压更新所述读取电压统计值。

6.根据权利要求5所述的方法，其中更新所述读取电压统计值包括：

基于所述先前读取电压的平均值、所述先前读取电压的数量以及所述新读取电压生成新平均值；并且

基于所述先前读取电压的平均值、所述先前读取电压的方差、所述新读取电压、所述先前读取电压的数量以及所述新平均值生成新方差。

7.根据权利要求6所述的方法，其中使用公式1生成所述新平均值：

[公式1]

其中“AVG_NEW”是所述新平均值，“N”是所述先前读取电压的数量，“VR_NEW”是所述新读取电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中使用公式2生成所述新方差：

[公式2]

其中“VAR_NEW”是所述新方差，“VAR”是所述方差。

9.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：当对所述重新读取的数据的错误校正失败时，生成用于重新读取与错误校正失败相关的数据的新读取电压。

10.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述读取电压包括：

当确定所述新读取电压不属于所述区间时，将所述平均值确定为将在所述下一次读取操作中使用的读取电压。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

控制所述半导体存储器装置使用所述平均值来执行所述下一次读取操作；并且

接收通过所述下一次读取操作从所述半导体存储器装置重新读取的数据。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：当对所述重新读取的数据的错误校正成功时，基于所述平均值更新所述读取电压统计值。