[发明专利]阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板

说明书

本申请公开一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板，其中阵列基板的制造方法包括：提供一基板，并在所述基板上制作形成栅电极；在所述栅电极上制作形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上制作形成导电沟道、透明电极、源极和漏极；其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成。本申请通过将导电沟道和透明电极设在同一层上，导电沟道和透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成，从而减少了制作阵列基板时光罩的使用数量，降低了制作成本，提高了生产效率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板。

背景技术

现有的液晶显示器一般包括液晶显示面板与背光模组。液晶显示面板通常是由一彩膜基板、一薄膜晶体管阵列基板以及一配置于两基板间的液晶层所构成，其工作原理是通过施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向型、扭曲向列或超扭曲向列型、平面转换型、及边缘场开关型。

其中，边缘场开关型液晶显示面板将透明电极与公共电极均设置在阵列基板一侧，通过对透明电极与公共电极施加驱动电压，形成基本平行于阵列基板的电场，使液晶分子在平行于阵列基板的平面内转动来控制光通量进行画面显示的，具有视角广以及开口率高等优点，深受消费者喜爱。在边缘场开关型液晶显示面板的产品中，根据阵列基板中透明导电层的位置来划分，则有3种膜层结构分别是：1、透明导电层在栅极的下方，此结构的工序为4光罩工艺流程；2、透明导电层在栅极电极层的上方且源漏极层的下方，此结构的工序为6光罩工艺流程；3、透明导电层在源漏极层的上方，此结构的工序为8光罩工艺流程。其中6膜层工艺流程在制作薄膜晶体管的半导体层和透明电极时，需要采用两道光罩制程，以分别制作薄膜晶体管的半导体层和透明电极，导致需要更多的光罩使用数量以及更复杂的制作工艺，使制作成本上升，降低了生产效率。

发明内容

本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板，减少了制作阵列基板时光罩的使用数量，降低了制作成本，提高了生产效率。

本申请提供一种阵列基板的制造方法，其包括以下步骤：

提供一基板，并在所述基板上制作形成栅电极；

在所述栅电极上制作形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上制作形成导电沟道、透明电极、源极和漏极；其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成。

可选的，在本申请一些实施例中，所述在所述第一绝缘层上制作形成导电沟道、透明电极、源极和漏极；其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成的步骤包括：

先在所述第一绝缘层上依次制作形成透明电极和导电沟道，其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成；

再接着制作形成源极和漏极。

可选的，在本申请一些实施例中，所述先在所述第一绝缘层上依次制作形成透明电极和导电沟道，其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成的步骤包括：

在所述第一绝缘层上制作形成金属氧化物半导体层；

将所述金属氧化物半导体层与所述导电沟道位置相对应的部分用光阻层覆盖；

对裸露在所述光阻层外的所述金属氧化物半导体层的部分进行等离子体处理使其从透明半导体转为透明导体而形成透明电极；

将所述的光阻层剥离得到所述导电沟道。