[发明专利]阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，并在所述基板上制作形成栅电极；

在所述栅电极上制作形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上制作形成导电沟道、透明电极、源极和漏极；其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上制作形成导电沟道、透明电极、源极和漏极；其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成的步骤包括：

先在所述第一绝缘层上依次制作形成透明电极和导电沟道，其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成；

再接着制作形成源极和漏极。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述先在所述第一绝缘层上依次制作形成透明电极和导电沟道，其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成的步骤包括：

在所述第一绝缘层上制作形成金属氧化物半导体层；

将所述金属氧化物半导体层与所述导电沟道位置相对应的部分用光阻层覆盖；

对裸露在所述光阻层外的所述金属氧化物半导体层的部分进行等离子体处理使其从透明半导体转为透明导体而形成透明电极；

将所述的光阻层剥离得到所述导电沟道。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，利用B离子、H离子和Ar离子中任一种对裸露在所述光阻层外的金属氧化物半导体层的部分进行等离子体处理使其从透明半导体转为透明导体而形成透明电极。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上制作形成导电沟道、透明电极、源极和漏极；其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层中经一次光刻图案化制作形成的步骤包括：

在所述第一绝缘层上依次制作形成金属氧化物半导体层和第一电极层；

所述导电沟道、透明电极、源极和漏极经一次光刻图案化制作形成，其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层制作形成，所述源极和漏极由第一电极层在同一层同时制作形成。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述导电沟道、透明电极、源极和漏极经一次光刻图案化制作形成，其中，所述导电沟道和所述透明电极由透明的金属氧化物半导体层在同一层制作形成，所述源极和漏极由第一电极层在同一层同时制作形成的步骤包括：

在所述第一电极层上涂布第一光阻层；

对所述第一光阻层进行曝光显影处理形成第一光阻图案、第二光阻图案和第三光阻图案，所述一光阻图案、所述第二光阻图案和所述第三光阻图案的厚度依次减小；

将裸露在所述第一光阻层外的所述金属氧化物半导体层和所述第一电极层进行刻蚀去除；

对所述第一光阻层进行灰化减薄处理，剥离所述第三光阻图案；

将位于所述第三光阻图案下方的所述第一电极层进行刻蚀去除；

对位于所述第三光阻图案下方的所述金属氧化物半导体层进行离子注入使其从透明半导体转为透明导体而形成透明电极；

对所述第一光阻层进行灰化减薄处理，剥离所述第二光阻图案；

对位于所述第二光阻图案下方的所述电极层进行刻蚀去除，得到所述导电沟道；

剥离所述第一光阻图案得到所述源极和漏极。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，利用B离子、H离子和Ar离子中任一种对位于所述第三光阻图案下方的所述金属氧化物半导体层进行离子注入使其从透明半导体转为透明导体而形成透明电极。