[发明专利]晶圆加工设备在审
| 申请号: | 202111632328.1 | 申请日: | 2021-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN114334766A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 李慧;姜宗帅;野沢俊久;张孝勇;周坚;田晓明;李丹 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
| 地址: | 110171 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加工 设备 | ||
本发明提供了一种晶圆加工设备。该晶圆加工设备包括前端控制装置、装载装置、连接件和传输装置;前端控制装置通过连接件与装载装置连接,传输装置设置于装载装置远离连接件的一侧,传输装置的周向上排布有至少一个反应腔室,反应腔室用于加工晶圆,传输装置用于输送晶圆,装载装置用于暂存晶圆,连接件用于供晶圆通过。本发明的晶圆加工设备通过设置传输装置便于在装载装置、传输装置、反应腔室和前端控制装置之间输送晶圆。在传输装置的周向上排布有至少一个反应腔室,便于对晶圆进行加工处理。通过设置连接件调整传输装置与前端控制装置之间的空间,进而便于对前端控制装置、传输装置以及装载装置的维护,且结构简单、便于实现和使用。
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种晶圆加工设备。
背景技术
晶圆传输是半导体专用设备中的重要组成部分。芯片加工过程中,会对硅晶圆进行一系列的处理:绝对真空,化学腐蚀,高能等离子体撞击和强烈的紫外线辐射等等,经过数百道分散的加工步骤以后,硅晶圆才会被打磨成CPU、存储芯片和图形处理器等等电子器件。这些加工过程对环境要求很高,因此大多数工作都在密封真空室中进行,通过传输系统把晶圆从一个工艺腔室移到另一个工艺腔室。
一般地,晶圆传输系统包括传输平台、安装在传输平台上的装载腔室和设置于传输平台内的传输腔室等,传输腔室外挂有工艺腔室。现有的晶圆传输系统通常设有两个传输平台,可称之为一级传输平台和二级传输平台。晶圆从装载腔传入一级传输腔室,依工艺顺序放入一级传输腔室上相应的工艺模块中进行工艺,之后传输至二级传输腔室,依工艺顺序放入二级传输腔室上相应的工艺模块中进行工艺,工艺完成后,晶圆传回装载腔。但是,受制于装载腔室的限制,使得传输平台与前端之间的空间较小,无法满足设备的维护需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆加工设备,通过所述前端控制装置、所述装载装置、所述连接件和所述传输装置,能够实现所述前端控制装置与所述传输装置之间的空间调整,用以改善空间较小、无法维护的问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种晶圆加工设备,包括前端控制装置、装载装置、连接件和传输装置;所述前端控制装置通过所述连接件与所述装载装置连接,所述传输装置设置于所述装载装置远离所述连接件的一侧,所述传输装置的周向上排布有至少一个反应腔室,所述反应腔室用于加工所述晶圆,所述传输装置用于输送晶圆,所述装载装置用于暂存晶圆,所述连接件用于供晶圆通过。
本发明的晶圆加工设备的有益效果在于:通过设置所述前端控制装置便于对晶圆进行装载,以及便于通过外部设备对晶圆进行输送。通过设置所述传输装置便于在所述装载装置、所述传输装置、所述反应腔室和所述前端控制装置之间输送晶圆。在所述传输装置的周向上排布有至少一个反应腔室,便于对晶圆进行加工处理。通过设置所述连接件便于调整所述传输装置与所述前端控制装置之间的空间,进而便于对所述前端控制装置、所述传输装置以及所述装载装置的维护,且结构简单、便于实现和使用。
在一种可行的方案中,所述传输装置设置为N个,所述装载装置设置为M个,且任意相邻的两个所述传输装置通过所述装载装置连接,N、M为正整数。其有益效果在于:通过将所述传输装置和所述装载装置均设置为多个,便于实现在一个所述加工设备设置多个所述传输装置的排布,使得能够根据工艺需要设置足够多的反应腔室,满足工艺要求。
在一种可行的方案中,所述连接件设置为K个,任意相邻的两个所述传输装置之间设有所述连接件,K为正整数。其有益效果在于:通过在任意相邻的所述传输装置之间设置所述连接件,便于增加任意相邻的所述传输装置之间的维护空间,便于对任一个所述传输装置的维护。
在一种可行的方案中,所述传输装置的一侧预留有维护空间。其有益效果在于:在实现一个所述加工设备设置多个所述传输装置的前提下,在所述传输装置的一侧预留维护空间,便于对任一个所述传输装置的维护。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





