[发明专利]一种芯片测试方法以及芯片测试系统

说明书

本申请公开了一种芯片测试方法以及芯片测试系统，该芯片测试方法包括：利用芯片测试系统中的机械手对至少一个待测试芯片进行测试；其中，机械手包括第一测试站和第二测试站；响应于待测试芯片到达第二测试站，调取第一测试站对待测试芯片测试得到的第一结果，并获得第二测试站对待测试芯片测试得到的第二结果；将第一结果和第二结果进行关联运算以获得待测试芯片的测试结果。通过这种设计方式，可以通过测试站点之间直接进行跨站取值，实现同一颗芯片参数性能实时比较，直接在数据中显示出计算结果，不仅可以避免后期进行手动数据分析，而且可以直接筛选出电性能参数不稳定的潜在风险产品，从而降低产品质量风险。

技术领域

本申请属于半导体测试技术领域，具体涉及一种芯片测试方法以及芯片测试系统。

背景技术

目前，一般的测试方式是多站串联测试，每个测试站之间是相互独立测试的，主要以常见的“电性能参数测试→雪崩测试→热阻测试→栅极电阻测试→电性能参数测试”这种测试方式为例，电性能参数测试是芯片产品的重要参数，比如VTH(阈值电压)、BVDSS(源漏击穿电压)、IDSS(漏极电流)、VDSON(漏源电压)、VF(正向导通电压)之类参数的测试。

通过查看相关参数的测试值来判定产品性能，由于测试站之间是相互独立的，因此保存的电性能参数测试数据也是独立的，如果要确认电性能参数经过中间三站的测试之后是否发生变化以验证芯片产品的稳定性，就需要手动进行数据分析，这种方式数据量大且不易操作。因此目前的多站串测方案存在以下的缺陷：(1)需要手动进行数据分析，且数据量大，不易操作；(2)产品性能有潜在风险；(3)有可能造成返工，造成产能的浪费。

因此，亟需一种新的芯片测试方法来解决上述问题。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片测试方法以及芯片测试系统，可以通过不同的测试站点之间直接进行跨站取值以实现同一颗芯片参数性能实时比较。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种芯片测试方法，包括：利用芯片测试系统中的机械手对至少一个待测试芯片进行测试；其中，所述机械手包括第一测试站和第二测试站；响应于所述待测试芯片到达所述第二测试站，调取所述第一测试站对所述待测试芯片测试得到的第一结果，并获得所述第二测试站对所述待测试芯片测试得到的第二结果；将所述第一结果和所述第二结果进行关联运算以获得所述待测试芯片的测试结果。

其中，所述机械手还包括一个空测试站和位于所述第一测试站和所述第二测试站之间的至少一个中间测试站，所述空测试站位于所述第一测试站之前；所述利用芯片测试系统中的机械手对至少一个待测试芯片进行测试的步骤，包括：将所述至少一个待测试芯片经过所述空测试站传送至所述第一测试站进行测试以获得所述第一结果；其中，所述空测试站不具备测试功能；将所述至少一个待测试芯片从所述第一测试站依次传送至所述至少一个中间测试站和所述第二测试站进行测试以获得至少一个中间结果和所述第二结果。

其中，所述将所述至少一个待测试芯片依次传送至所述至少一个中间测试站和所述第二测试站进行测试以获得至少一个中间结果和所述第二结果的步骤之前，包括：将所述第一测试站、所述至少一个中间测试站和所述第二测试站依次进行串联通信，以使得所述待测试芯片依次经过所述第一测试站、所述至少一个中间测试站和所述第二测试站进行测试后得到的结果可跨站调取；其中，所述中间测试站位于所述第一测试站和所述第二测试站之间。

其中，所述中间测试站包括第一中间测试站、第二中间测试站和第三中间测试站；所述将所述至少一个待测试芯片从所述第一测试站依次传送至所述至少一个中间测试站和所述第二测试站进行测试以获得至少一个中间结果和所述第二结果的步骤，包括：将所述待测试芯片从所述第一测试站依次传送至所述第一中间测试站、所述第二中间测试站和所述第三中间测试站进行测试，以获得第一中间结果、第二中间结果和第三中间结果；将所述待测试芯片传送至所述第二测试站进行测试，以获得所述第二结果。