[发明专利]一种光芯片和电芯片的封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种光芯片和电芯片的封装结构，其特征在于，包括：

第一重布线结构；

位于所述第一重布线结构一侧的光芯片和电芯片，所述光芯片位于所述电芯片的侧部，所述光芯片的正面具有耦合区，所述光芯片的正面通过第一导电连接件与所述第一重布线结构电连接，所述电芯片的正面通过第二导电连接件与所述第一重布线结构电连接，至少部分所述耦合区相对于所述第一重布线结构横向向外延伸；

支撑件，位于所述第一重布线结构和部分所述光芯片之间且位于所述第一导电连接件的侧部，所述支撑件背离所述第一导电连接件的一侧暴露出至少部分所述耦合区；

塑封层，位于所述第一重布线结构一侧且包覆所述电芯片和部分光芯片，所述塑封层暴露出所述耦合区。

2.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构，其特征在于，所述支撑件的材料包括陶瓷。

3.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构，其特征在于，所述支撑件的高度为50um－80um。

4.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构，其特征在于，所述第一重布线结构包括第一介质层和位于所述第一介质层中的第一重布线层，所述支撑件与所述第一介质层接触；所述第一导电连接件与所述第一重布线层接触，所述第二导电连接件与所述第一重布线层接触。

5.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构，其特征在于，还包括：底填层，所述底填层位于所述光芯片和所述第一重布线结构之间且包覆所述第一导电连接件的侧壁，所述底填层还位于所述电芯片和所述第一重布线结构之间且包覆所述第二导电连接件的侧壁；

所述塑封层还覆盖所述底填层背离所述第一重布线结构的一侧。

6.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构，其特征在于，所述支撑件位于部分所述耦合区的表面。

7.根据权利要求1或6所述的光芯片和电芯片的封装结构，其特征在于，还包括：光纤，所述光纤的侧壁与所述支撑件背离第一导电连接件的一侧的侧壁固定，所述光纤的一端端面朝向部分所述耦合区的表面。

8.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构，其特征在于，还包括：导电柱，所述导电柱贯穿所述电芯片侧部的所述塑封层且与所述第一重布线结构电连接；位于所述塑封层背离所述第一重布线结构一侧的第二重布线结构，所述第二重布线结构与所述导电柱电连接；

焊球，所述焊球位于所述第一重布线结构的表面。

9.一种光芯片和电芯片的封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成第一重布线结构；

在部分所述第一重布线结构的一侧设置初始支撑件；

提供电芯片和初始光芯片，所述初始光芯片的正面具有耦合区，将所述电芯片和初始光芯片贴装在所述第一重布线结构的一侧，所述初始光芯片的正面通过第一导电连接件与所述第一重布线结构电连接，所述电芯片的正面通过第二导电连接件与所述第一重布线结构电连接；所述初始支撑件位于所述第一重布线结构和部分所述初始光芯片之间且位于所述第一导电连接件的侧部，所述初始支撑件环绕至少部分所述耦合区；

在所述第一重布线结构的一侧形成塑封层，所述塑封层包覆所述电芯片和部分初始光芯片；所述初始支撑件将所述塑封层和所述初始支撑件环绕的所述耦合区隔离；

对所述塑封层、初始光芯片和所述初始支撑件进行划片切割，使所述初始光芯片形成光芯片，使所述初始支撑件形成支撑件，所述支撑件背离所述第一导电连接件的一侧暴露出至少部分所述耦合区；

划片切割之后，去除部分所述第一重布线结构，以使得至少部分所述耦合区相对于第一重布线结构横向向外延伸。