[发明专利]一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法

权利要求书

1.一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，其特征在于所述方法是按如下步骤进行的：

步骤一、对紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷进行离线检测，确定紫外光学元件加工表面尺寸最大的表面结构缺陷；

步骤二、采用光致荧光探测实验，获取步骤一确定的最大表面结构缺陷受不同波长激发光作用下产生的荧光发射光谱峰值强度，确定产生峰值强度最高的激发光波长为最佳激发光波长；

步骤三、采用步骤二确定的最佳波长激发光进行光致荧光扫描探测实验，对步骤一确定的最大表面结构缺陷进行全范围扫描采样，确定该最大表面结构缺陷受激发产生荧光发射光谱峰值强度最高的位置为最佳缺陷位置，并获得所述最佳缺陷位置受激发产生的荧光发射光谱；

步骤四、对步骤三获得的最佳缺陷位置受激发产生的荧光发射光谱进行高斯谱线拟合分析，将光谱拟合为若干个高斯荧光光谱，每个高斯荧光光谱均对应一种微观光伤点缺陷，通过探究不同微观光伤点缺陷对应的高斯荧光光谱峰值位置信息，确定微观光伤点缺陷种类；通过探究不同微观光伤点缺陷对应的高斯荧光光谱的包络面积，确定微观光伤点缺陷的权重大小；

步骤五、依据步骤四的微观光伤点缺陷种类和权重大小，建立紫外光学元件加工表面缺陷区微观光伤点缺陷之间的演变规律。

2.根据权利要求1所述的一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，其特征在于所述紫外光学元件为熔融石英光学元件。

3.根据权利要求2所述的一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，其特征在于在步骤一中，采用超景深三维立体成像系统对熔融石英光学元件加工表面进行检测。

4.根据权利要求3所述的一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，其特征在于在步骤二中，确定的最佳激发光波长为440nm。

5.根据权利要求4所述的一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，其特征在于在步骤三中，确定的最佳缺陷位置为该缺陷中心位置。

6.根据权利要求5所述的一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，其特征在于在步骤四中，分析得到7种微观光伤点缺陷，分别为E’心缺陷、ODCII缺陷、POR缺陷、NBOHCI缺陷、POL缺陷、NBOHCII缺陷、Si纳米团簇。

7.根据权利要求6所述的一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，其特征在于7种微观光伤点缺陷的权重大小分别为E’心缺陷42.41％、ODCII缺陷6.74％、POR缺陷23.54％、NBOHCI缺陷7.32％、POL缺陷6.92％、NBOHCII缺陷12.35％、Si纳米团簇0.72％。

8.根据权利要求7所述的一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，其特征在于在步骤五中，微观光伤点缺陷之间的演变规律包括E’心缺陷衍生的缺陷族和NBOHCI缺陷衍生的缺陷族，所述E’心缺陷衍生的缺陷族包括E’心缺陷和ODCII缺陷，所述NBOHCI缺陷衍生的缺陷族包括NBOHCI缺陷、NBOHCII缺陷、POL缺陷和POR缺陷。

9.根据权利要求8所述的一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法，其特征在于基于Si-O键断裂将产生同等数量的E’心缺陷和NBOHCI缺陷进行验证，具体为通过各微观光伤点缺陷的相对含量，确定E’心缺陷族相对含量为250323；NBOHCI缺陷族相对含量为255559；二者之间相对误差仅为2.09％，误差较小，验证了本方法得到的微观光伤点缺陷种类、权重大小的正确性。