[发明专利]一种金属箔加工方法及加工装置在审

专利信息
申请号: 202111615884.8 申请日: 2021-12-27
公开(公告)号: CN116354153A 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 张可;苏陟;喻建国;朱宇华 申请(专利权)人: 广州方邦电子股份有限公司;珠海达创电子有限公司
主分类号: B65H20/02 分类号: B65H20/02;B65H18/14;B65H18/02;H01C17/00;H01C17/14;H05K1/16
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吴萌
地址: 510660 广东省广州市高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 加工 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种金属箔加工方法,用于加工箔带(400),其特征在于,包括以下步骤:

S10、绕第一方向(710)转动上料辊(110),将卷绕于所述上料辊(110)的所述箔带(400)输送至沉积腔(220)内的沉积液(500)中进行沉积操作;

S20、待沉积操作完成后,利用监控模块(300)测量经过沉积操作后的所述箔带(400)的电阻阻值,若电阻阻值不处于合格阈值范围内,进行步骤S30,否则进行步骤S40;

S30、对所述箔带(400)进行再沉积操作,然后进行步骤S40;

S40、转动收卷辊(130),将所述箔带(400)回收到所述收卷辊(130)上。

2.根据权利要求1所述的金属箔加工方法,其特征在于,所述监控模块(300)包括扫描单元和运算单元,步骤S20包括以下详细步骤:

S21、利用所述扫描单元探测所述沉积操作形成的电阻层的体积;

S22、使所述运算单元根据电阻层体积的数值计算出所述电阻层的所述电阻阻值;

S23、将所述电阻阻值与所述合格阈值进行比较,若电阻阻值不处于合格阈值范围内,进行步骤S30,否则进行步骤S40。

3.根据权利要求2所述的金属箔加工方法,其特征在于,步骤S30包括以下详细步骤:

S31、绕第二方向(720)转动所述上料辊(110),使电阻阻值不处于合格阈值范围内的所述箔带(400)移动回输送至所述沉积腔(220)之前;

S32、再次绕所述第一方向(710)转动所述上料辊(110),使所述箔带(400)再次输送至沉积腔(220)内再次进行沉积操作;

S33、待沉积操作完成后,利用监控模块(300)测量经过沉积操作后的所述箔带(400)的电阻阻值,若电阻阻值不处于合格阈值范围内,返回步骤S31,否则进行步骤S40。

4.根据权利要求2所述的金属箔加工方法,其特征在于,步骤S30包括以下详细步骤:

S34、使电阻阻值不处于合格阈值范围内的所述箔带(400)置于补足腔(240)内的所述沉积液(500)中,然后进行步骤S40。

5.一种金属箔加工装置,其特征在于,能应用于权利要求3所述的金属箔加工方法中,所述金属箔加工装置包括:

所述上料辊(110),所述箔带(400)卷绕于所述上料辊(110),当所述上料辊(110)绕所述第一方向(710)转动时,所述上料辊(110)驱动卷绕于所述上料辊(110)的所述箔带(400)输出,当所述上料辊(110)绕所述第二方向(720)转动时,所述上料辊(110)驱动脱离所述上料辊(110)的所述箔带(400)移动回所述上料辊(110)上;

所述沉积腔(220),所述沉积腔(220)内还设有沉积辊(120),所述沉积辊(120)用于将所述箔带(400)浸泡于所述沉积液(500)中;

所述收卷辊(130),用于回收经过所述沉积腔(220)的所述箔带(400);

所述监控模块(300),设于所述沉积腔(220)与所述收卷辊(130)之间,用于测量经过所述沉积腔(220)的所述箔带(400)的电阻阻值。

6.根据权利要求5所述的金属箔加工装置,其特征在于,所述上料辊(110)设置于上料腔(210)内,所述收卷辊(130)设置于收卷腔(230)内,所述上料腔(210)、所述沉积腔(220)和所述收卷腔(230)依次连通,所述监控模块(300)设于所述沉积腔(220)与所述收卷腔(230)之间。

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