[发明专利]一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法在审
| 申请号： | 202111610372.2 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114496786A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L21/324;H01L29/06 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 igbt 静态 动态 雪崩 能力 制备 方法 | ||
1.一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在N-衬底上进行IGBT正面工艺，形成IGBT正面结构；
S2：正面贴膜后，对背面进行减薄，并利用硅腐蚀液对硅片背面进行去应力和倒角清洗；
S3：采用离子注入的方式，在背面注入一层Se元素，注入能量为20~100keV，注入剂量为1e11~1e14；
S4：Se元素注入后采用激光退火，利用不同波长退火深度不同，将Se元素推结到设定的深度，形成IGBT背面缓冲层；
S5：通过离子注入工艺，在IGBT背面缓冲层进行硼离子注入，并通过炉管退火或激光退火的方式进行激活，形成IGBT集电极层；
S6：通过溅射或蒸发方式，制作晶片背面金属，形成集电极金属电极。
2.根据权利要求1所述的一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法，其特征在于，IGBT结构包含多晶硅层、氧化硅组成的栅极层、Pbody基区、N+发射区以及正面金属电极。
3.根据权利要求1所述的一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法，其特征在于，步骤S2中，背面减薄后厚度为50um~600um。
4.根据权利要求1所述的一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法，其特征在于，步骤S6中背面金属的材料为表面银的多层金属结构。
5.根据权利要求1所述的一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法，其特征在于，步骤S4中Se元素推结到的深度为1um~15um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
