[发明专利]一种BGA元件自对位结构及对位方法有效
| 申请号: | 202111608034.5 | 申请日: | 2021-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN113993298B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
| 发明(设计)人: | 邵冬冬 | 申请(专利权)人: | 深圳中科四合科技有限公司 |
| 主分类号: | H05K3/30 | 分类号: | H05K3/30 |
| 代理公司: | 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632 | 代理人: | 霍如肖 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 bga 元件 对位 结构 方法 | ||
1.一种BGA元件自对位结构,BGA元件包括基板和设于所述基板底面的BGA植球,其特征在于,包括:
电路板机构,包括印制电路板以及设于所述印制电路板上的第一对位结构,所述第一对位结构用于与BGA植球相匹配;
第二对位结构,包括一对治具,一对所述治具间隔相向设置于所述印制电路板的上方,用于限位于基板的两侧;
所述第一对位结构包括开设于所述印制电路板上的开孔、填充于所述开孔的孔腔内的填充介质结构、设于所述填充介质结构上的凹槽,所述凹槽与BGA植球形状相匹配。
2.如权利要求1所述的BGA元件自对位结构,其特征在于,所述开孔为通孔或盲孔,所述填充介质结构由油墨或树脂填充所述开孔的孔腔形成。
3.如权利要求1所述的BGA元件自对位结构,其特征在于,所述填充介质结构的顶面加附导通层,所述导通层电导通所述凹槽两侧的所述印制电路板的线路。
4.如权利要求1所述的BGA元件自对位结构,其特征在于,一对所述治具具有相向设置的倾斜限位面,所述倾斜限位面的倾斜角角度范围为2°-20°。
5.如权利要求4所述的BGA元件自对位结构,其特征在于,一对所述治具的外表设有镀钛膜。
6.如权利要求1所述的BGA元件自对位结构,其特征在于,一对所述治具分别紧固于所述基板两侧的所述印制电路板上方。
7.一种BGA元件自对位方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取印制电路板和BGA元件的电性设计需求;
根据获取的印制电路板和BGA元件的电性设计需求,在印制电路板上设置与所述BGA元件的BGA植球相匹配的第一定位结构;
获取BGA元件的尺寸信息;
根据获取的BGA元件的尺寸信息,制作第二定位结构;
通过将BGA植球匹配入所述第一定位结构中,第二定位结构限位于基板的两侧位置,将BGA元件对位于印制电路板上;所述“根据获取的印制电路板和BGA元件的电性设计需求,在印制电路板上设置与所述BGA元件的BGA植球相匹配的第一定位结构”步骤,具体包括以下步骤:
根据获取的印制电路板和BGA元件的电性设计需求,在印制电路板上开设多个开孔;
在开孔的孔腔内填充介质形成填充介质结构;
在填充介质结构的顶面塑型形成与BGA植球相匹配的凹槽;
在所述填充介质结构顶面加附电导通所述凹槽两侧的印制电路板上的线路的导通层;所述“根据获取的BGA元件的尺寸信息,制作第二定位结构”步骤,具体包括以下步骤:
根据获取的BGA元件的尺寸信息,获取一对治具的高度、倾斜限位面的倾斜角和两个所述治具的间隙;
根据获取的一对治具的高度、倾斜限位面的倾斜角和两个所述治具的间隙,制作一对治具;
在制作完成的一对所述治具的表面PVD真空电镀镀钛膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳中科四合科技有限公司,未经深圳中科四合科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111608034.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





