[发明专利]一种将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局在审

专利信息
申请号: 202111598424.9 申请日: 2021-12-24
公开(公告)号: CN116341458A 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 王莹 申请(专利权)人: 圣邦微电子(北京)股份有限公司
主分类号: G06F30/38 分类号: G06F30/38;G06F30/392;G06F119/14
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 吴小灿
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 dac 中的 电阻 高精度 匹配 版图 布局
【说明书】:

一种将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,通过将总反馈电阻R0拆分成若干个分散布局反馈电阻R0’,并以此为基础对所有分压匹配电阻进行分行和行内分组,有利于减小电阻阻值在芯片制造过程中因受应力梯度影响,从而降低DAC输出电压精度。

技术领域

发明涉及DAC中电阻版图布局技术,特别是一种将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局。

背景技术

DAC(Digital to analog converter)是数字模拟转换器。DAC作为锂电池保护芯片中的重要模块,对DAC输出的电压精度、速度等指标的要求也逐渐提高,其中需要特别注意电阻的匹配性和干扰性问题。电阻串联分压型DAC结构如图3所示,这种结构主要是通过R1~Rn分别与反馈电阻R0的比例大小来进行电阻分压,因此它们与R0的差距大小,会直接影响DAC输出电压的精度。一个N位的DAC需要2N个电阻,电阻阻值在芯片制造过程中会受应力梯度的影响,所以当DAC位数较大时,电阻的匹配摆放布局尤为重要。图3中包括比较器,比较器的正向输入端连接参考电压端Vref,比较器的负向输入端连接分压节点,分压节点第一路通过R0接地,第二路通过分压匹配电阻连接NMOS管的源极,NMOS管的栅极连接比较器的输出端,NMOS管的漏极连接电源电压VDD,R1~Rn中分布有第1选择节点至第n选择节点,第1选择节点位于R1与R2之间,第n选择节点位于Rn与NMOS管之间,第1选择节点通过第1选择开关S1连接译码器,第n选择节点通过第n选择开关Sn连接译码器,译码器输出第一数字信号D0至第N数字信号DN-1,N为正整数。

图4是现有技术DAC中的电阻顺序摆放及其应力分布示意图。如图4所示,电阻R1~Rn按顺序摆放成一行,两端均设置有保护电阻Rdummy,两端Rdummy之间,R0位于这一行的最左边,往右依次为R1~Rn,Rn位于这一行的最右边。应力分布示意图上的这些圆周线其实是曲线,也称之为等压线,显示了管芯表面不同点的应力大小,每一条等压线上的点具有相等的应力梯度。应力梯度在中心位置具有最小值,随着向边缘移动应力梯度逐渐增加。以任意电阻为中心位置,受应力梯度影响,R1~Rn的电阻阻值与R0的电阻阻值差距较大,且R1~Rn本身电阻阻值也有较大差距。这将直接影响DAC的输出电压随着输入码字递增而不均匀,即实际LSB(Least Significant Bit,最低有效位)与理论值相比可能忽大忽小。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足,提供一种将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局。

本发明的技术解决方案如下:

一种将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,包括若干行分压匹配电阻,每一行中的分压匹配电阻被划分成若干组,每一组中包括若干个分压匹配电阻,每一行的两端均设置有保护电阻,每一行中的相邻分压匹配电阻组之间均设置有分散布局反馈电阻,所有分散布局反馈电阻的根数之和等于总反馈电阻的总根数。

设分压匹配电阻行数为L,每行分压匹配电阻组数为K,每组分压匹配电阻个数为m,分压匹配电阻总数为n,所述总反馈电阻的总根数为R0,每一个分散布局反馈电阻的根数R0’,则R0’=R0/(L*(K-1)),n=m*K*L。

n个分压匹配电阻的序号为R1,R2,R3,···,Rn;第1行中的K个分压匹配电阻组的序号为第1组,第2组,···,第K组,第2行中的K个分压匹配电阻组的序号为第K+1组,第K+2组,···,第K+K组,其他行以此类推;第1组中m个分压匹配电阻序号为R1,R2,···,Rm,第2组中m个分压匹配电阻序号为Rm+1,Rm+2,···,Rm+m,其他组以此类推。

以每一行的中线为对称轴,分压匹配电阻奇数序号组分布在所述中线的左边,分压匹配电阻偶数序号组分布在所述中线的右边,近中线的序号数小于远中线的序号数。

所述对称轴位于每一行中居中的分散布局反馈电阻上。

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