[发明专利]一种将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局在审
申请号: | 202111598424.9 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN116341458A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 王莹 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/38 | 分类号: | G06F30/38;G06F30/392;G06F119/14 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 吴小灿 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dac 中的 电阻 高精度 匹配 版图 布局 | ||
1.一种将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,包括若干行分压匹配电阻,每一行中的分压匹配电阻被划分成若干组,每一组中包括若干个分压匹配电阻,每一行的两端均设置有保护电阻,每一行中的相邻分压匹配电阻组之间均设置有分散布局反馈电阻,所有分散布局反馈电阻的根数之和等于总反馈电阻的总根数。
2.根据权利要求1所述的将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,设分压匹配电阻行数为L,每行分压匹配电阻组数为K,每组分压匹配电阻个数为m,分压匹配电阻总数为n,所述总反馈电阻的总根数为R0,每一个分散布局反馈电阻的根数R0’,则R0’=R0/(L*(K-1)),n=m*K*L。
3.根据权利要求2所述的将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,n个分压匹配电阻的序号为R1,R2,R3,···,Rn;第1行中的K个分压匹配电阻组的序号为第1组,第2组,···,第K组,第2行中的K个分压匹配电阻组的序号为第K+1组,第K+2组,···,第K+K组,其他行以此类推;第1组中m个分压匹配电阻序号为R1,R2,···,Rm,第2组中m个分压匹配电阻序号为Rm+1,Rm+2,···,Rm+m,其他组以此类推。
4.根据权利要求3所述的将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,以每一行的中线为对称轴,分压匹配电阻奇数序号组分布在所述中线的左边,分压匹配电阻偶数序号组分布在所述中线的右边,近中线的序号数小于远中线的序号数。
5.根据权利要求4所述的将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,所述对称轴位于每一行中居中的分散布局反馈电阻上。
6.根据权利要求3所述的将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,以每一组中的中线为对称轴,组内分压匹配电阻奇数序号分布在所述中线的左边,组内分压匹配电阻偶数序号分布在所述中线的右边,近中线的序号数小于远中线的序号数。
7.根据权利要求6所述的将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,所述对称轴位于每一组中居中的两个分压匹配电阻之间。
8.根据权利要求3所述的将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,L*(K-1)个R0’串联形成总反馈电阻R0,R1~Rn串联形成n个选择节点,所述n个选择节点以一对一的方式通过n个选择开关连接到译码器的n个输入端,所述译码器输出n个数字信号。
9.根据权利要求8所述的将DAC中的电阻高精度匹配的版图布局,其特征在于,总反馈电阻R0的一端与R1的一端串联形成分压节点,R0的另一端接地,所述分压节点连接比较器的负向输入端,所述比较器的正向输入端连接参考电压端,所述比较器的输出端连接NMOS管的栅极,所述NMOS管的源极连接Rn,所述NMOS管的漏极连接电源电压端。
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