[发明专利]一种倒装发光二极管芯片电极及制备方法

说明书

本发明公开一种倒装发光二极管芯片电极及制备方法，通过控制光刻胶厚度和光刻工艺，使得芯片电极两侧的角度为20‑65°，且芯片电极的每层金属对相邻下层的金属进行完全包覆，减少了芯片电极两侧角顶破上层布拉格反射镜层的情况，提高了芯片电极在高温高湿环境下的耐受程度，提高了LED芯片整体的可靠性和负载能力。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片电极及制备方法。

背景技术

近年来，发光二极管以其节能、高亮、耐久性高、寿命长、轻巧等优势逐渐占领背光显示和直接显示两大领域；

随着小间距显示的崛起，LED显示芯片逐渐向mini LED靠拢，mini LED芯片也正式进入了稳定量产阶段，接下来，便是面临mini LED芯片性能、可靠性的提升，以及成本降低问题；请参阅图1和图2，传统的mini发光二极管芯片中需要设置PAD导电层，通过PAD导电层辅助键合层和导电台阶间接的电性连接；在制作方法上需要在电流扩展层上蒸镀一层PAD导电层，再在导电层上沉积反射层，在反射层上再设置键合层，键合层通过PAD导电层才能和电流扩展层电性连接，这样增大了线阻，降低了发光效率。

因此，如何减小线阻、提高发光效率，成为现有发光二极管芯片技术亟需改进的技术问题。

发明内容

本申请旨在提供一种倒装发光二极管芯片电极及制备方法，以解决如何提高倒装LED芯片的可靠性和负载能力的问题。

而本申请为解决上述技术问题所采用的方案为：

第一方面，本申请提供一种倒装发光二极管芯片电极，芯片电极蒸镀在外延层上，且所述芯片电极的两侧面与外延层平面的夹角为20-65°。

在本申请的部分实施例中，所述芯片电极包括多层叠层结构，且多层叠层结构中每一上层对相邻下层进行完全包覆。

在本申请的部分实施例中，芯片电极包括平台电极和两侧的侧翼电极，且所述侧翼电极的厚度为所述平台电极的厚度的50％-100％。

在本申请的部分实施例中，外延层上设置有氧化铟锡层，所述芯片电极蒸镀在所述氧化铟锡层上。

在本申请的部分实施例中，所述芯片电极包括自下而上依次设置的欧姆接触层、电极反射层、第一保护叠层、第二保护叠层、电流传输层、防刻穿层和DBR粘附层，所述欧姆接触层的厚度为所述电极反射层厚度为所述第一保护叠层为两层叠层结构，两层厚度均为第二保护叠层为两层叠层结构，两层厚度均为电流传输层厚度为防刻穿层厚度为DBR粘附层厚度为

第二方面，本申请还提供一种倒装发光二极管芯片电极的制备方法，包括

提供一外延层；

在外延层上沉积氧化铟锡层，并在氧化铟锡层表面设置光刻胶层；

在光刻胶层上显影出电极空位，且电极空位底部与氧化铟锡层连通，所述电极空位沿着靠近氧化铟锡层一侧横截面面积逐渐增大；

在电极空位上蒸镀芯片电极，芯片电极的两侧面与氧化铟锡层平面的夹角为20-65°。

在本申请的部分实施例中，在显影电极空位步骤中包括

对光刻胶进行热盘烘烤并曝光；

再对光刻胶进行显影前烘烤并在光刻胶上显影出电极空位，烘烤温度为105-118℃，烘烤时间为90-110s。

在本申请的部分实施例中，所述电极空位包括沉积底部和蒸镀颈部，所述沉积底部的横截面面积大于所述蒸镀颈部的横截面面积，且所述沉积底部的厚度大于所述芯片电极的高度。

在本申请的部分实施例中，所述蒸镀颈部的厚度为1-2μm。