[发明专利]一种倒装发光二极管芯片电极及制备方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片电极，其特征在于，芯片电极设置在外延层上，且所述芯片电极的两侧面与所述外延层所在平面的夹角为20-65°。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片电极，其特征在于，所述芯片电极包括多层叠层结构，且多层叠层结构中每一上层对相邻下层进行完全包覆。

3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管芯片电极，其特征在于，芯片电极包括平台电极和两侧的侧翼电极，且所述侧翼电极的厚度为所述平台电极的厚度的50％-100％。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片电极，其特征在于，外延层上设置有氧化铟锡层，所述芯片电极蒸镀在所述氧化铟锡层上。

5.根据权利要求2所述的倒装发光二极管芯片电极，其特征在于，所述芯片电极包括自下而上依次设置的欧姆接触层、电极反射层、第一保护叠层、第二保护叠层、电流传输层、防刻穿层和DBR粘附层，所述欧姆接触层的厚度为所述电极反射层厚度为所述第一保护叠层为两层叠层结构，两层厚度均为第二保护叠层为两层叠层结构，两层厚度均为电流传输层厚度为防刻穿层厚度为DBR粘附层厚度为

6.一种倒装发光二极管芯片电极的制备方法，其特征在于，包括提供一外延层；

在外延层上沉积氧化铟锡层，并在氧化铟锡层表面设置光刻胶层；

在光刻胶层上显影出电极空位，且电极空位底部与氧化铟锡层连通，所述电极空位沿着靠近氧化铟锡层一侧横截面面积逐渐增大；

在电极空位上蒸镀芯片电极，芯片电极的两侧面与氧化铟锡层平面的夹角为20-65°。

7.根据权利要求6所述的倒装发光二极管芯片电极的制备方法，其特征在于，在显影电极空位步骤中包括

对光刻胶进行热盘烘烤并曝光；

再对光刻胶进行显影前烘烤并在光刻胶上显影出电极空位，烘烤温度为105-118℃，烘烤时间为90-110s。

8.根据权利要求6所述的倒装发光二极管芯片电极的制备方法，其特征在于，所述电极空位包括沉积底部和蒸镀颈部，所述沉积底部的横截面面积大于所述蒸镀颈部的横截面面积，且所述沉积底部的厚度大于所述芯片电极的高度。

9.根据权利要求8所述的倒装发光二极管芯片电极的制备方法，其特征在于，所述蒸镀颈部的厚度为1-2μm。

10.根据权利要求8所述的倒装发光二极管芯片电极的制备方法，其特征在于，所述沉积底部的最大宽度和所述蒸镀颈部的最小宽度的单边差值为5-12μm。